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NOR和NAND flash 主讲：杨晓鹏 主要内容 Flash介绍 NOR Flash介绍 NAND Flash介绍 两者的主要区别 驱动软件介绍 Flash介绍 1、 Flash指的是闪存,属于非易失性存储器，内存的一种，相对于SDRAM等存储器，断电后，内部的数据仍然可以保存。它的高集成度和低成本使它成为市场主流。 Flash根据技术方式分为Nand 、Nor Flash和AG-AND Flash 。作为一种非易失性存储器，Flash在系统中通常用于存放程序代码、常量表以及一些在系统掉电后需要保存的用户数据等。 Flash介绍 2、 Flash 芯片是由内部成千上万个存储单元组成的，每个单元存储一个bit。具有低功耗、大容量、擦写速度快、可整片或分扇区在系统编程（烧写）、擦除等特点，并且可由内部嵌入的算法完成对芯片的操作，因而在各种嵌入式系统中得到了广泛的应用。 Flash介绍 3、 常用的Flash为8位或16位的数据宽度，编程电压为3.3V。主要的生产厂商为INTEL、ATMEL、AMD、HYUNDAI等。Flash 技术根据不同的应用场合也分为不同的发展方向，有擅长存储代码的NOR Flash和擅长存储数据的NAND Flash。 思考：系统使用32位Flash可以采用什么方法？ NOR Flash介绍 1、 Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。 NOR Flash介绍 2、 NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place),这样应用程序可以直接在flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高,在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。 NAND Flash介绍 1、 NAND结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快。 NAND Flash介绍 2、应用NAND有一定的困难，因为NAND Flash的管理操作需要特殊的系统接口。 两者的主要区别 1、操作效率差别。 NOR的读速度比NAND稍快一些。 NAND的写入速度比NOR快很多。 NAND的擦除速度远比NOR的快。 大多数写入操作需要先进行擦除操作。 NAND的擦除单元更小,相应的擦除电路更少。 两者的主要区别 2、接口差别 　　NOR flash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内部的每一个字节。 　　NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据,各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。 　　NAND读和写操作采用512字节的块,这一点有点像硬盘管理此类操作,很自然地,基于NAND的存储器就可以很容易的取代硬盘或其他块设备。 两者的主要区别 3、容量和成本 。NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半。 　　NOR flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分,而NAND flash只是用在8～128MB的产品当中,这也说明NOR主要应用在代码存储介质中,NAND适合于数据存储,NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场上所占份额最大。 两者的主要区别 4、可靠性和耐用性。 对于需要扩展MTBF的系统来说,Flash是非常合适的存储方案。寿命(耐用性)在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次,而NOR的擦写次数是十万次。 两者的主要区别 5、位交换。 所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些偶然情况下，一个比特位会发生反转或被报告反转了。NAND发生的次数要比NOR多。 NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块,并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中,如果通过可靠的方法不能进行这项处理,将导致高故障率。 两者的主要区别 6、易用性。 可以非常直接地使用基于NOR的闪存,可以像存储器那样连接,并可以在上面直接运行代码。 由于需要I/O接口,NAND要复杂得多。各种NAND器件的存取方法因厂家而异。在使用NAND器件时,必须先写入驱动程序,才能继续执行其他操作。 两者的主要区别 7、软件支持。 在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持,在NAND器件上进行同样操作时,通常需要驱动程序。许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软件,这其中包括M-System的TrueFFS驱动,该驱