SiGeHBT传输电流模型研究.pdfVIP

第 卷 第 期 半 导 体 学 报 ! # 5678! (68# ! ! ! ! ! ! 年 月 ! !$$# # %’()*)+,-.(/0 ,1*)2’%,(3-%4,.* +9:;!$$# %37?U8传输电流模型研究 O 胡辉勇 张鹤鸣 戴显英 宣荣喜 崔晓英 王 青 姜 涛 ! ! ! ! ! ! ! ! 西安电子科技大学微电子学院 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室!西安 $ P$$P ! 摘要!基于 异质结双极晶体管 $大信号等效电路模型!建立了 传输电流模型 重点考虑发射 *HU; a4 *HU;a4 8 结能带的不连续对载流子输运产生的影响!通过求解流过发射结界面的载流子密度!建立了*HU;a4传输电流 模型 该模型物理意义清晰!拓扑结构简单 对该模型进行了模拟!模拟结果与文献报道的结果符合得较好 将该模 8 8 8 型嵌入 *’%)软件中!实现了对 *HU;a4器件与电路的模拟分析!并对器件进行了直流分析!分析结果与文献 报道的结果符合得较好8 关键词! %异质结双极晶体管%传输电流% 软件 *HU; *’%) # % % =+CC #PTN TP#$% [!V$% 中图分类号! 文献标识码! 文章编号! # 4(VMP / $!NMWVP!$$# $#WP$N[W$N ! ! ! ! ! ! 文基于 *HU;a4大信号等效电路模型!建立了传 引言 输电流 模型 并将该模型与其他参数模型嵌进 2 8 J %4 ! 了*’%)软件中!实现了*’%) 的资源共享和 近年来随着应变 *HU;材料制备技术的发展! *HU;a4器件及电路的模拟仿真!取得了预期的 异质结双极晶体管 $备受重视 由 结果 *HU;a4 a4 8 8 于*HU;a4频率特性线性特性和噪声特性等性 能较 器件优越!特别是与传统的 工艺技术兼 大信号等效电路模型 *H