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雅新電子(蘇州)有限公司 探討內容 靜電及靜電放電的定義 ESD對微電子產品的影響 靜電放電的模型 靜電防護基本原則 靜電防護材料定義 靜電接地系統介紹 制程中需作重點管控的部分 何為靜電 ? “静电”----即靜止的电能(荷). 我們知道所有的物質都由原子構成,原子中有電子和質子.當物質獲得或失去電子時,它將不再對外顯電中性.如獲得電子將對外顯負電,反之顯正電. 電荷在材料表面上積累,將會使物體所帶電能升高.電荷積累通常因材料互相接觸分離而產生，它存在于物体表面。如摩擦起电就是一种静电现象。 何為靜電放電 ? 由於靜電電荷會不斷積累(除非產生電荷的作用停止),直到達到足夠的強度而將周圍物質擊穿后,將電能泄放.或通過人為增設的通路將該電能泄放.該放電過程即為靜電放電.(英文縮寫: E S D ------Electrostatic Discharge) . 簡言之，靜電放電就是電荷快速中和的過程. 靜電放電 (HBM) 靜電放電 (HBM) ESD對微電子產品的影響 ? 由于电子行业的迅速发展, 高集成度的器件在不斷的推陳出新.由於集成度的增加,从而导致导线间距越来越小,绝缘膜越来越薄,故器件的耐击穿电压及電流承載能力也愈来愈小.也即對靜電愈顯敏感. 电子行业中静电危害可基本分为两类： 一. 由静电引力引起的浮游尘埃的吸附. 二. 由静电放电引起的介质击穿或半擊穿. 一. 静电引力引起的尘埃的吸附 在半导体元器件或產品的生产制造过程中, 由于大量使用了绝缘強度很高的材料.過程中,一些不可避免的摩擦即可造成其表面电荷的不断积聚, 且电位愈来愈高。由于电荷的力学效应,在这种情况下,很容易使工作场所的浮游尘埃吸附于芯片表面,而影响器件的性能。 ESD實驗材料的微照片 何為電氣過載 (EOS) ? 由于在很小的電阻上快速泄放電能，泄放電流會很大，可能超過20安培，如果這種放電通過集成電路或其他靜電敏感元件時，這麼大的電流將對設計為僅導通微安或毫安級電流的電路造成嚴重損害,此種現象即為電氣過載,英文術語:Electrical overstress(縮寫: E O S )。 EOS實驗材料的微照片 EOS實驗材料的微照片 EOS實驗材料的微照片 防靜電標示 靜電放電的模型 靜電放電的模型 人體帶電模型(Human Body Model,HBM) (Discharge to the Device) 機器帶電模型(Machine Model,MM) (Discharge to the Device) 元件帶電模型(Charaged Device Model,CDM) (Discharge from the Device) 三種靜電放電模型比較 HBM與MM—人體,機器帶電 --HBM是最古老且最常發生的模式,但並非最 嚴重的危害模式 --MM造成的故障與HBM類似,但電壓卻遠低於 HBM,速度亦較HBM快 CDM—元件帶電 --模擬一帶電元件經由一腳接地而放電的現象 此為造成ESD故障的主要原因 --電流上升時間最快 (Human Body Medel,HBM) 这个测试模型表示，放电从人体的指尖传到器件上的导电接头.该模型通过一个开关组件，将充了电的100 pF电容器，在待测器件和与之相串联的一个1500 欧姆电阻器上放电.放电本身只有2~10纳秒上升时间，和大约150 纳秒脉冲宽度的信号波形.使用1500欧姆串联电阻器，意味着这个模型接近一个电流源。 (Machine Model,MM) (Charaged Device Model,CDM) 该模型假定，当带电器件的导电接头与具有不同电位的金属表面接触时，会发生迅速放电。带电器件模型测试标准的准备过程中的一个主要问题，是如何找到适当仪器测量放电过程。整个过程可能发生在少于2.0纳秒的时间里。虽然时间非常短, 放电时电流却能达到几十安培的水平。 ESD防護基本原則 ESD防護措施 ESD防護措施防止和抑制静电荷的产生,积聚. ESD防護措施(對地泄放) ESD防護措施(對地泄放) ESD防護措施(離子中和) ESD防護措施(離子中和) 靜電屏蔽袋 防靜電膠帶 防靜電皮結構介紹 防靜電工作臺的安裝 防靜電工作臺的安裝 防靜電工作臺的安裝 靜電防護材料定義 靜電接地系統 接地的目的 將靜電防護設施接地,提供一個靜電消散路徑.使機器與材料間,及人體與材料間呈等電位狀態.以避免ESDS元件受到破壞. 人員安全防護 考慮人員碰觸電源時,通過人體的電流.故接觸人體的接地系統必須要有限流電阻 各機器設備必須與設備地線可靠連接,設備地與靜電地不可短接 市電供應系