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Effects of VIII ratio on a-plane GaN epilayers with an InGaN interlayer.pdf
Chin．Phys．B Vo1．23，No．2(2014)026801
RAPID CoMMUNICATIoN
EffectsofV／Illratioon -planeGaN epilayerswith
anInGaN interlayer木
WangJian．xia(王建霞)十，WangLian．ShaIl(汪连山)}，YangShao—Yan(杨少延)§， LiHui—Jie(李辉杰)
ZhaoGui．Juan(赵桂娟)，ZhangHeng(张 恒)，weiHong—Yuan(魏鸿源)，
JiaoChun．Mei(焦春美)，ZhuQin．Sheng(朱勤生)，andWangZhan-Guo(SE占国)
KeyLaboratoryofSemiconductorMaterialsScience,BefiingKeyLaboratoryofLowDimensionalSemiconductorMaterialsandDeuces，
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