固态相变 教学课件 作者 刘宗昌第4章马氏体相变与马氏体 4.7马氏体的形核.pptVIP

4.7马氏体相变的形核 1.以往的观察 实验研究表明，马氏体形核位置不是任意的，不是均匀形核。形核位置与母相中存在的缺陷有关。 （1）β黄铜中形成马氏体后，经可逆转变，当重新冷却时，马氏体形成的位置与原来的重合； （2）成分相同的100微米以下的Fe-Ni合金小颗粒，其尺寸愈小，马氏体转变的开始温度愈低；尺寸小于100微米时，即使粒度相同的粉末，其马氏体转变的开始温度的差别也很大。 （3）大块Cu－2.5Fe富铁沉淀相在室温以上就可以发生马氏体相变，小粒的冷却到Mf以下也未出现马氏体。 研究认为形核位置是晶内的位错、层错等处，晶核在晶粒内部形成，而很少是晶粒界或相界面 。 2．马氏体相变的形核学说 自上世纪40年代始，至今马氏体相变的形核的研究已经70年，从均匀形核到非均匀形核的近代模型，尚未形成完整的与实际相符合的形核机制。主要有： 1956年～1972年提出了K-D位错圈晶核模型；K-C模型；R-C模型。 这些晶核模型均假定在母相中预先存在由位错组成的核胚。但是迄今未得到实验证明。理论上也难以成立，因为在高温下的母相中，如奥氏体中不存在那么高的位错密度。 50～70年代提出的形核机制：层错形核和极轴机制，应变核胚模型，软模、局域软模等非均匀形核机制。 2）形核模型 由于认为马氏体在晶内形核，故提出： （1）位错形核模型； （2）应变核胚模型； （3）层错形核模型； （1）位错形核 位错圈相界面模型 该假说设想马氏体核胚预先存在于母相中，核胚为扁球状，它与母相的交界面是位错圈，即一系列位错圈围绕而成的扁球状核胚。如图所示。以作中脊面的扁平状位错胞（2r，2c）中分布弗兰克位错，每6个原子间距排列一条。位错圈主要是由螺型位错组成，在周边形成刃型位错。 这就是著名的K-D位错胞模型。 位错胞核胚长大 位错圈的扩展使核胚在 和 方向长大，在 方向长大则产生新的位错圈。这样，位错圈的螺型部分外向移动使得核胚加厚，刃型部分的径向移动使在尖端产生新的位错圈，使核胚径向长大。 K-D学说的核胚尚未获得直接的、有说服力的实验证明 。理论上在奥氏体中不存在如此高的位错密度。 （2）应变核胚模型 该模型认为在母相高应变场中可以形成马氏体核胚。在母相的应变场中形成马氏体核胚时，核胚的长大使缺陷的弹性自由焓ΔGD下降，因此形核过程使体系总的自由焓ΔGT下降，当ΔGT 0 时,就能形核,而不需要超越形核的能垒,形核的激活能很小。 应变形核时自由焓的变化 （3）层错形核模型 据徐祖耀说“层错形核已经公认为马氏体相变形核机制中一种比较成熟的学说。 其实不然。 对fcc→hcp、 fcc → bcc、bcc → fcc等马氏体相变都提出了层错形核模型。但尚未得到统一的机制。 主要有极轴模型和层错自发形核模型。 (a)极轴机制三维长大 模型 极轴机制难以转变 极轴机制需要有六方相及极轴位错存在，此位错通过六方相和邻近面心立方区是不可动的。因此，上述位错组态完成转变当有实际困难。 （b）层错自发形核 设想在面心立方母相中，存在Shockley不全位错，不全位错的边缘是层错，这些层错在每隔两层密排面上运动，面上平移而重叠，当尺寸达到临界值时，就是马氏体晶核。 这样，用层错在滑移面上的可动性代替了极轴位错组态的不可动性。 3.近年来的试验观察 近年来，刘宗昌等人，应用金相显微镜、透射电镜、扫描电镜试验观察了马氏体的形核-长大情况，发现马氏体优先在晶界形核，也可在晶内、孪晶界面、表面、相界面等缺陷处形核。 表明马氏体相变形核符合相变的一般规律。 以往只认为在晶内的位错、层错处形核是片面的。 马氏体晶核在优先晶界上形成 在孪晶界上形核 石墨-奥氏体相界面上形核 奥氏体晶内、晶界形成马氏体片 马氏体在晶界、晶内形核-长大 在表面上形核 4.马氏体相变的形核机制 马氏体相变无成分变化，因此不需要浓度涨落。母相晶体缺陷有利于产生结构涨落和能量涨落。结构涨落、能量涨落二者非线性的正反馈相互作用把微小的随机性涨落迅速放大，使得原结构失稳，于是建构一种新结构，即马氏体晶体结构。 马氏体的形核为以缺陷促进形核，实现母相到新相的晶格改组的过程，符合相变形核的一般规律。 涨落同样是马氏体相变的诱因 Bain模型、K-S模型、西山模型等切变学说不是在有涨落的前提下提出的，忽视涨落在研究相变机制的起点上是不可取的。 完成马氏体相变必须在远离A1的情况下首先产生结构涨落、能量涨落才能进行马氏体相变。涨落是相变的诱因