第1章 半导体晶体管和场效应管.pptVIP

电工技术基础与工程应用 第1章 半导体晶体管和场效应管 1.1 半导体的基础知识 当uGS＞0V时→纵向电场 →将靠近栅极下方的空穴向下排斥→耗尽层。 ②漏源电压uDS对漏极电流id的控制作用 当uGS＞UT，且固定为某一值时，来分析漏源电 压VDS对漏极电流ID的影响。（设UT=2V， uGS=4V） 转移特性曲线 2．耗尽型绝缘栅场效应管 特点： 当uGS=0时，就有沟道，加入uDS，就有iD。 当uGS＞0时，沟道增宽，iD进一步增加。 当uGS＜0时，沟道变窄，iD减小。 跨导（gm）是当漏—源电压UDS为常数时，漏极电流的增量ΔID对引起这一变化的栅—源电压ΔUDS的比值，即 ： 跨导是衡量场效应晶体管栅—源电压对漏极电流控制能力的一个重要参数，它的单位是μA/V或mA/V。 1.3.2 电流放大作用 一、晶体管放大的条件 1.内部条件 发射区掺杂浓度高 基区薄且掺杂浓度低 集电结面积大 2.外部条件 发射结正偏 集电结反偏 二、晶体管的电流分 配和放大作用 实验电路 mA mA IC EC IB IE RB EB C E B 3DG6 ?A 电路条件: ECEB 发射结正偏 集电结反偏 mA mA IC EC IB IE RB EB C E B 3DG6 ?A 1.测量结果 70 60 60 ?IC/ ? IB IC/ IB IE/mA IC/mA IB/mA 50 58 55 53 50 50 2.95 2.24 1.63 1.02 0.51 ?0.001 2.90 2.20 1.60 1.00 0.50 ?0.001 0.05 0.04 0.03 0.02 0.01 0 (1) 符合KCL定律 (2) IC和IE比IB大得多 (3) IB 很小的变化可以引起 IC很大的变化。 即：基极电流对集电极电流具有小量控制大量的作用，这就是晶体管的放大作用。 2.晶体管内部载流子的运动规律 (1) 发射区向基区注入多子电子， 形成发射极电流 IE。 I CE 多数向 BC 结方向扩散形成ICE。 IE 少数与空穴复合，形成 IBE 。 I BE 基区空 穴来源 基极电源提供(IB) 集电区少子漂移(ICBO) I CBO IB IBE ? IB + ICBO 即： IB = IBE – ICBO (3) 集电区收集扩散过来的载流子形成集电极电流 IC IC I C = ICE + ICBO (2)电子到达基区后 (基区空穴运动因浓度低而忽略) 3. 晶体管的电流分配关系 当管子制成后，发射区载流子浓度、基区宽度、集电结面积等确定，故电流的比例关系确定，即： IB = I BN ? ICBO IC = ICN + ICBO (直流电流放大倍数） 总结： 1.晶体管在发射结正向偏置、集电结反向偏置的条件下具有电流放大作用。 2.晶体管的电流放大作用，实质上是基极电流对集电极电流的控制作用。 1.3.3 特性曲线 1.输入特性 输入 回路 输出 回路 与二极管特性相似 RC EC iB IE RB + uBE ? + uCE ? EB C E B iC + ? + ? + ? iB RB + uBE ? EB + ? O 特性基本重合(电流分配关系确定) 特性右移(因集电结开始吸引电子) 导通电压 UBE Si 管: (0.6 ? 0.8) V Ge管: (0.2 ? 0.3) V 取 0.7 V 取 0.2 V EB + ? RB 2.输出特性 1.调整RB使基极电流为某一数值。 2.基极电流不变，调整EC测量集电极电流和uCE 电压。 输出特性曲线 50 μA 40 μA 30 μA 10 μA IB = 0 20 μA uCE /V O 2 4 6 8 4 3 2 1 iC / mA mA IC EC IB RB EB C E B 3DG6 ?A RC V + uCE ? iC / mA uCE /V 50 μA 40 μA 30 μA 20 μA 10 μA IB = 0 O 2 4 6 8 4 3 2 1 （1）截止区： IB ? 0