模拟电路与数字电路 第2版 教学课件 作者 林捷 杨绪业 郭小娟 第1章 半导体器件.pptVIP

第1章 半导体器件 1.1半导体基础知识 1.1.1本征半导体 1.1.2本征激发和两种载流子 1.1.3杂质半导体 1.1.4 PN结 1.1.1本征半导体 1.1.2本征激发和两种载流子 1.1.3杂质半导体 1.1.4 PN结 1.2半导体二极管 1.2.1半导体二极管的几种常见结构 1.2.2二极管的伏—安特性 1.2.3二极管的主要参数 1.2.4二极管极性的简易判别法 1.2.5二极管的等效电路 1.2.1半导体二极管的几种常见结构 1.2.2二极管的伏—安特性 1.2.3二极管的主要参数 1.2.4二极管极性的简易判别法 1.2.5二极管的等效电路 *1.3半导体二极管的基本应用电路 1.3.1二极管整流电路 1.3.2桥式整流电路 1.3.3倍压整流电路 1.3.4限幅电路 1.3.5与门电路 1.3.1二极管整流电路 1.3.2桥式整流电路 1.3.3倍压整流电路 1.3.4限幅电路 1.3.5与门电路 *1.4稳压管 1.4.1稳压管的结构和特性曲线 1.4.2稳压管的主要参数 1.4.1稳压管的结构和特性曲线 1.4.2稳压管的主要参数 1.5其他类型的二极管 1.5.1发光二极管 1.5.2光电二极管 1.5.1发光二极管 1.5.2光电二极管 1.6晶体三极管 1.6.1晶体管的结构及类型 1.6.2三极管的电流放大作用 1.6.3三极管的共射特性曲线 1.6.4三极管的主要参数 1.6.1晶体管的结构及类型 1.6.2三极管的电流放大作用 1.6.3三极管的共射特性曲线 1.6.4三极管的主要参数 1.7场效应晶体管 1.7.1结型场效应管的类型和构造 1.7.2绝缘栅型场效应管的类型和构造 1.7.3场效应管主要参数 1.7.1结型场效应管的类型和构造 1.7.2绝缘栅型场效应管的类型和构造 1.7.3场效应管主要参数 本 章 小 结 图1.27所示的三极管放大电路中，集电极接有电阻RC，如果电源电压VCC一定，当集电极电流iC增大时，vCE＝VCC-iCRC将下降，对于硅管，当vCE 降低到小于0.7V时，集电结也进入正向偏置的状态，集电极吸引电子的能力将下降，此时iB再增大，iC几乎就不再增大了，三极管失去了电流放大作用，此时称三极管处于饱和状态。 （2） 饱和区 三极管输出特性曲线饱和区和截止区之间的部分就是放大区。 （3） 放大区 1. 共射电流放大系数 和β 集电结反向饱和电流ＩCBO是指发射极开路，集电结加反向电压时测得的集电极电流。 常温下，硅管的ＩCBO在NA（10-9）的量级，通常可忽略。 2. 极间反向饱和电流ＩCBO和ＩCEO 3. 极限参数 （1） 集电极最大允许电流ＩCM 晶体管的集电极电流ＩC在相当大的范围内β值基本保持不变，但当ＩC的数值大到一定程度时，电流放大系数β值将下降。 使β值明显减少的ＩC即为ＩCM。为了使三极管在放大电路中能正常工作，ＩC不应超过ＩCM。 三极管工作时，集电极电流在集电结上将产生热量，产生热量所消耗的功率就是集电极的功耗PCM，即 PCM＝ＩCVCE （1-14） 功耗与三极管的结温有关，结温又与环境温度、管子是否有散热器等条件相关。 根据式（1-14），可在输出特性曲线上做出三极管的允许功耗线，如图1.31所示。 功耗线的左下方为安全工作区，右上方为过损耗区。 （2）集电极最大允许功耗PCM 图1.31允许功耗 反向击穿电压VBR（CEO）是指基极开路时，加在集电极与发射极之间的最大允许电压。 （3） 反向击穿电压VBR（CEO） 几乎所有的三极管参数都与温度有关，因此不容忽视。 温度对下列的三个参数影响最大。 （1） 对β的影响 三极管的β随温度的升高将增大，温度每上升1℃，β值约增大0.5%～1%，其结果是在相同的ＩB情况下，集电极电流ＩC随温度上升而增大。 4. 温度对三极管参数的影响 （2） 对反向饱和电流ＩCEO的影响 ＩCEO是由少数载流子漂移运动形成的，它与环境温度关系很大，ＩCEO随温度上升会急剧增加。温度上升10℃，ＩCEO将增加一倍。由于硅管的ＩCEO很小，所以，温度对硅管ＩCEO的影响不大。 （3） 对发射结电压vbe的影响 和二极管的正向特性一样，温度上升1℃，vbe将下降2mV～2.5mV。 由前面的分析可知，三极管的输入阻抗不够高，对信号源的影响较大。 为了提高三极管的输入阻抗，发明了利用输入回路电场的效应来控制输出回路电流变化的半导体器件，即场效应管。 1. 结型场效应管的类型和构造 结型场效应管有N沟道和P沟道两