模拟电子技术 教学课件 作者 葛中海.docVIP

模拟电子技术教案 配套中职教材 《模拟电子技术》 主编 葛中海 机械工业出版社 学期授课计划说明 1．课程的性质和内容 本课程是技工学校电子类专业和家用电器维修专业的一门专业基础课。主要内容包括：包括常用半导体器件、放大器的基础、直流稳压电源、放大器中的负反馈、集成运算放大器及其应用、低频功率放大器等知识。 2．课程的任务和要求 （1）了解晶体二极管、晶体三极管、晶闸管、集成运算放大器等常用半导体器件的工作特性和主要参数，并能进行简单的检测和选用。 （2）掌握低频放大器、直流稳压电源、负反馈放大器、调谐放大器、正弦波振荡器、功率放大器等电路的典型形式、分析方法及其应用，能进行简单的计算。 （3）掌握电子电路的基本实验技能。 （4）了解与本课程有关的新器件、新技术，初步具有查阅半导体器件有关资料的能力。 教材名称、版本、编著者 模拟电子技术、第一版、机械工业出版社 本课 程总 课时 已授 课时 尚余 课时 本学期 教学周 本学期学时分配 总 课 时 其 中 讲授 课时 习题课时 实验（实习）课时 测验 课时 复习 课时 144 0 144 18 144 第1章 常用导体体器件 本章主要内容 本章重点讲述半导体器件的结构原理、外特性、主要参数及其物理意义，工作状态的分析。 首先介绍构成PN结的半导体材料、二极管的伏安特性、分类及命名、常用二极管和主要参数；第二部分介绍三极管晶体管的结构、分类及命名、工作区的判断分析方法、主要参数第二部分介绍晶闸管的结构、分类、工作特性及典型应用。 本章课时分配 本章分为4讲，共18学时。 第1讲 二极管 本讲重点（本讲4学时） 1．PN结（二极管）的单向导电性； 2．二极管结的伏安特性。 本讲难点 1．PN结（二极管）的单向导电性； 2．掺杂半导体中的多子和少子； 教学组织过程 本讲适宜教师课堂讲授。用多媒体演示半导体的结构、导电机理、PN结的形成过程及其伏安特性等，便于学生理解和掌握。 主要内容 1．半导体基础知识 （1）半导体及其导电性能 （2）本征半导体的结构及其导电性能 本征半导体是纯净的、没有结构缺陷的半导体单晶。制造半导体器件的半导体材料的纯度非常，它在物理结构上为共价键、呈单晶体形态，常温常态下基本不导电。 （3）半导体的本征激发与复合现象 当温度升高或受到光的照射时，价电子能量增高，有的价电子可以挣脱原子核的束缚而参与导电，成为自由电子。这一现象称为本征激发（也称热激发）。因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的，称为电子空穴对。 游离的部分自由电子也可能回到空穴中去，称为复合。 在一定温度下本征激发和复合会达到动态平衡，此时，载流子浓度一定，且自由电子数和空穴数相等。 （4）杂质半导体 见表1-1 正向特性 ● 正偏概念 ● 死区电压（），这些数值是大概的，不是绝对的。 ● 正向压降（这些数值是大概的，不是绝对的。 ● 反偏概念 ● 漏电流1）国产命名 （2）国外命名4． 可以从网络上搜索出各种二极管，展示给同学们观看，增加大家的直观认识。 5．认识几种常用二极管 （1）整流二极管 （2）稳压二极管 提醒同学们这种的二极管的特殊性，标记的特点； （3）提醒同学们翻到P115，观看变容变容（1）正向额定工作电流（IFM） （2）最高反向工作电压（VRM） （3）反向饱和电流（IRM） 翻书到附录2和附录3，第2讲 晶体管 本讲重点（本讲6学时） 1．； 2．； 本讲难点 1．； 2． 教学组织过程 本讲适宜教师课堂讲授。用多媒体演示的结构、用EWB仿真电路演示的电流放大作用等，便于学生理解和掌握。 主要内容 ● NPN型 相关概念：基区（极）、发射区（极）、集电区（极），符号 ● PNP型 相关概念：基区（极）、发射区（极）、集电区（极），符号 不能简单等同于双二极管，这由生产制造时采取的特殊结构工艺决定的； b）三极管结构工艺特点是：集电区面积较大（发热集中在该区域）；基区较薄，掺杂浓度低；发射区，掺杂浓度较高。 1）国产命名 （2）国外命名（3） 可以从网络上搜索出各种二极管，展示给同学们观看，增加大家的直观认识。 （4）参考图1-12晶体（6）① 由晶体晶体晶体② 讲解数字万用表HFE挡为何是4位插孔； ③ 引领同学们体会图1-15，图1-16两种管子的插法和测试结果。 2．晶体管电流放大作用 （1）晶体管工作电压 NPN型三极管接法如图1-17a，c、b、e三个电极的电位应符合： PNP型三极管接法如图1-17b，c、b、e三个电极的电位应符合： （2）晶体管电流放大过程 将的比值称为晶体晶体管的电流放大系数，用符号表示，即，表明了晶体管的