模拟电子技术 教学课件 作者 翟丽芳 1 第3章 场效应晶体管及其放大电路.pptVIP

图3-24　IGBT的等效电路及符号a)等效电路　b)符号 实践案例 图3-25　单相逆变器BSPWM控制原理及波形图a)单相逆变电路　b)驱动信号产生电路　c)输出波形 实践案例 (1)低频跨导gm 当uDS为常数时，漏极电流iD的微小变化量与栅-源电压uGS的微小变化量之比称为跨导 (2)输出电阻rd 当uGS为常数时，漏-源电压uDS的微小变化量与漏极电流iD的微小变化量之比称为输出电阻rd (3)极间电容CGS、CGD、CDS CGS是栅-源极间存在的电容，CGD是栅-漏极间存在的电容。它们的大小一般为1~3pF，而漏-源极间的电容CDS约为0.1~1pF。 3.极限参数 (1)最大漏极电流IDM(2)最大漏-源电压U(BR)DS(3)最大栅-源电压U(BR)GS(4)漏极最大耗散功率PDM 图3-12　例3-1的图a)输出特性曲线　b)电路图 3.2　场效应晶体管放大电路 3.2.1　直流偏置电路及其静态分析3.2.2　场效应晶体管的微变等效电路3.2.3　场效应晶体管的三种基本放大电路 3.2.1　直流偏置电路及其静态分析 1.直流偏置电路2.静态工作点的确定 1.直流偏置电路 (1)自给偏压电路(2)分压式偏置电路 (1)自给偏压电路 图3-13　场效应晶体管的偏置电路a)自给偏压电路　b)分压式偏置电路 (2)分压式偏置电路 N沟道FET分压式偏置电路如图3-13b所示。这种偏置电路是由RG1和RG2分压确定UG电位，所以可以使IDRSUG，满足N沟道JFET对UGS的要求，即UGS0；也可以使IDRSUG，满足N沟道增强型FET对UGSUGS(th)0的要求。因此，这种偏置方式既适用于增强型FET，也适用于耗尽型FET。 3.2.2　场效应晶体管的微变等效电路 图3-14　场效应晶体管的微变等效电路a)微变等效电路　b)简化微变等效电路　c)高频模型 3.2.3　场效应晶体管的三种基本放大电路 1.共源极放大电路2.共漏极放大电路3.共栅极放大电路 1.共源极放大电路 图3-15　共源极放大电路a)电路　b)微变等效电路　c)求等效电路 图3-16　例3-3电路a)电路　b)直流通路　c)微变等效电路 2.共漏极放大电路 图3-17　共漏极放大电路a)电路　b)微变等效电路　c)求等效电路 3.共栅极放大电路 图3-18　共栅极放大电路a)电路　b)微变等效电路　c)求等效电路 3.3　多级放大电路 3.3.1　多级放大电路的组成及耦合方式3.3.2　多级放大器技术指标的计算 3.3.1　多级放大电路的组成及耦合方式 1.多级放大电路的组成2.多级放大电路的耦合方式 1.多级放大电路的组成 图3-19　多级放大电路的组成框图 2.多级放大电路的耦合方式 (1) 阻容耦合(2) 直接耦合(3) 变压器耦合 (1) 阻容耦合 图3-20　阻容耦合两级放大电路 (2) 直接耦合 图3-21　直接耦合两级放大电路 (3) 变压器耦合 图3-22　变压器耦合多级放大电路 3.3.2　多级放大器技术指标的计算 1.电压放大倍数2.输入电阻3.输出电阻4.带宽 即多级放大电路的电压放大倍数等于各级放大电路电压放大倍数之积。值得注意的是，在计算各级放大电路的电压放大倍数时，应将后级放大电路的输入电阻作为其负载电阻考虑。 1.电压放大倍数 2.输入电阻 根据输入电阻的定义，多级放大电路的输入电阻等于第一级的输入电阻 3.输出电阻 根据输出电阻的定义，多级放大电路的输出电阻等于输出级的输出电阻 4.带宽 放大电路的带宽fBW与上限截止频率fH和下限截止频率fL的关系为fBW＝fH-fL 图3-23　图3-20所示电路的微变等效电路 例3-5　在图3-20所示电路中，设静态工作点合适，其中各电容器的电容量均足够大，场效应晶体管和晶体管的gm、β、rbe已知。试求该放大电路的A·u、Ri和Ro的值。 本章小结 1.场效应晶体管有结型和绝缘栅型两种类型，它们都有N沟道和P沟道两类。2.场效应晶体管是电压控制型器件，而半导体晶体管是电流控制型器件，区别在于场效应晶体管是通过栅-源电压uGS控制漏极电流iD，体现这种控制作用的是跨导gm。3. 场效应晶体管可以工作于三种状态：可变电阻区、恒流区和截止区。4.场效应晶体管正常工作时栅极几乎没有电流通过，故输入电阻很大，适合作为多级放大电路的输入级。 5.场效应晶体管的直流偏置方式有自给偏压式和分压偏置式两种，前者只适用于耗尽型FET。6.场效应晶体管有共源极放大电路、共漏极放大电路(源极输出器)和共栅极放大电路三种组态。 第3章　场效应晶体管及其放大电路 3.1　场效应晶体管3.2　场效应晶体管放大电路3.3　多级放大电