模拟电子技术 教学课件 作者 翟丽芳 2 第3章 场效应晶体管及其放大电路.pptVIP

图3-33　题3-9图 图3-34　题3-10图 3.2　场效应晶体管放大电路 3.2.1　直流偏置电路及其静态分析3.2.2　场效应晶体管的微变等效电路3.2.3　场效应晶体管的三种基本放大电路 3.2.1　直流偏置电路及其静态分析 1.直流偏置电路2.静态工作点的确定 1.直流偏置电路 (1)自给偏压电路(2)分压式偏置电路 (1)自给偏压电路 图3-13　场效应晶体管的偏置电路a)自给偏压电路　b)分压式偏置电路 2.静态工作点的确定 例3-2　在图3-13a所示电路中，VDD＝30V，RD＝3kΩ，RS＝1kΩ，RG＝1MΩ，FET的IDSS＝7mA，UGS(off)＝-8V。试求UGSQ、IDQ和UDSQ。解　将数据RS＝1kΩ，IDSS＝7mA，UGS(off)＝-8V代入式(3-8)可得 3.2.2　场效应晶体管的微变等效电路 图3-14　场效应晶体管的微变等效电路a)微变等效电路　b)简化微变等效电路　c)高频模型 3.2.3　场效应晶体管的三种基本放大电路 1.共源极放大电路2.共漏极放大电路3.共栅极放大电路 1.共源极放大电路 例3-3　在如图3-16a所示电路中，已知VDD＝15V，RD＝5kΩ，RS＝500Ω，RG1＝300kΩ，RG2＝150kΩ，RG3＝2MΩ，RL＝5kΩ，MOS管的ID0＝2mA，UGS(th)＝2V，各电容器的电容量足够大。试求：(1)静态工作点Q的值；(2)该放大电路的、Ri和Ro的值。解　(1)求静态工作点Q的值(2)求、Ri和Ro的值 1.共源极放大电路 图3-15　共源极放大电路a)电路　b)微变等效电路　c)求等效电路 图3-16　例3-3电路a)电路　b)直流通路　c)微变等效电路 例3-4　在如图3-17a所示的电路中，已知VDD的大小足以满足管子能正常工作于恒流区，RG＝1.1MΩ，RS＝10kΩ，RL＝10kΩ，FET的gm=0.9mS，rDS可忽略，各电容器的电容量足够大。试求该放大电路的Au、Ri和Ro的值。解　根据式(3-14)、式(3-15)和式(3-16)可得 2.共漏极放大电路 图3-17　共漏极放大电路a)电路　b)微变等效电路　c)求等效电路 3.共栅极放大电路 图3-18　共栅极放大电路a)电路　b)微变等效电路　c)求等效电路 3.3　多级放大电路 3.3.1　多级放大电路的组成及耦合方式3.3.2　多级放大器技术指标的计算 3.3.1　多级放大电路的组成及耦合方式 1.多级放大电路的组成2.多级放大电路的耦合方式 1.多级放大电路的组成 图3-19　多级放大电路的组成框图 2.多级放大电路的耦合方式 (1) 阻容耦合(2) 直接耦合(3) 变压器耦合 (1) 阻容耦合 图3-20　阻容耦合两级放大电路 (2) 直接耦合 图3-22　变压器耦合多级放大电路 (2) 直接耦合 图3-21　直接耦合两级放大电路 3.3.2　多级放大器技术指标的计算 1.电压放大倍数2.输入电阻3.输出电阻4.带宽 例3-5　在图3-20所示电路中，设静态工作点合适，其中各电容器的电容量均足够大，场效应晶体管和晶体管的gm、β、rbe已知。试求该放大电路的、Ri和Ro的值。解　画出该电路的微变等效电路，如图3-23所示。(1)求解(2)求解Ri(3)求解Ro 图3-23　图3-20所示电路的微变等效电路 图3-24　IGBT的等效电路及符号a)等效电路　b)符号 图3-25　单相逆变器BSPWM控制原理及波形图a)单相逆变电路　b)驱动信号产生电路　c)输出波形 图3-26　题3-2图 图3-27　题3-3图 图3-28　题3-4图 图3-29　题3-5图 图3-30　题3-6图a)电路　b)转移特性曲线 图3-31　题3-7图 图3-32　题3-8图 第3章　场效应晶体管及其放大电路 3.1　场效应晶体管3.2　场效应晶体管放大电路3.3　多级放大电路 3.1　场效应晶体管 3.1.1　结型场效应晶体管3.1.2　绝缘栅型场效应晶体管3.1.3　场效应晶体管的主要电参数及特点 3.1.1　结型场效应晶体管 1.结型场效应晶体管的结构和符号2.结型场效应晶体管的工作原理3.结型场效应晶体管的特性曲线 1.结型场效应晶体管的结构和符号 图3-1　结型场效应晶体管的结构示意图和图形符号a)N沟道结构示意图　b)N沟道图形符号c)P沟道结构示意图　d)P沟道图形符号 2.结型场效应晶体管的工作原理 (1)当uDS＝0V时，uGS对导电沟道的控制作用(2)当UGS(off)uGS0V时，uDS对漏极电流iD的影响 2.结型场效应晶体管的工作原理 图3-2　N沟道结型场效应晶体管直流