掺稀土GaN发光材料和器件研究.pdfVIP

掺稀土GaN发光材料和器件研究+ 陈维德’ 宋淑芳2 (1．中国科学院半导体所 北京 100083) (2．中国科学院凝聚态物理中。和表面物理国家重点实验室 北京 100080) 摘要：掺稀土GaN发光器件在光电子领域，如在发光器件、平板显示、光纤通讯和光电集成 等方面有非常重要的应用，是一种研制已取得重要进展的新型发光器件．本文结合我们的研究工作 对国内外近些年在掺稀土GaN发光材料和器件研究方面进展作一简述． 关键词：稀土元素；GaN；发光 稀士元素在光电子领域，如固体激光器、光纤通讯和光显示等方面有非常重要的应用，是一种 重要的光电子材料。稀土原子的半径大，极易失掉外层两个6S电子和次外层5d的一个电子或4f层 的一个电子。因此，稀土元素通常是处于3价离子态(RE”)。稀土元素有一个未充满的4f壳层。由 这一原因，稀土元素发光峰都很尖锐，发光波长几乎与基体材料和环境温度无关，完全由4f能级内 跃迁所决定． 过去用于掺杂稀士元素的基体材料主要是绝缘体材料，如氧化物和玻璃等。为了研制崮体激光 器和光纤放大器，绝缘体材料中稀土离子的光学特性已进行了很多研究。近些来，掺稀土半导体的 发光研究引起人们广泛关注和重视．研究的基体材料包括元素半导体和化合物!}导体，掺杂元素包 括镧系人部分稀土元素。其中研究比较系统和深入的是掺铒硅基材料。因为硅材料是微电子’1．业摄 重要的材料。E，在1．549m的发光波长正好对应于光纤通讯中石英基光纤光吸收和光色散的最小 值，对发展光纤通讯和光电集成有重要意义。近年年，稀土掺杂GaN发光材料和器件的研究引起人 们很大关注，也取得了重大的进展．本文结合我们的研究．对国内外近年来在稀土掺杂GaN发光材 料和器件研究方面的进展作一简述． 1掺稀土GaN发光材料的研究 1．1GaN基体材料特性 材料，即使在高缺陷密度下也有很高的光激活率。稀土元素在GaN中有很高的固溶度，如Er在GaN 101m3)，这对提高发光效率非常有利。掺Er的GaN还有一个重要特点是它的温度猝灭效应很弱， 这对丁制备室温发光器件非常重要。对于掺Ersi或GaAS，尽管在低温时可观察到强的发光，但是 当温度升到室温时，由于温度猝灭效应，发光强度几乎下降2个数量级，严重地制约掺铒室温硅基 或III．v族化合物发光器件的实际应用。GaN由于是宽带隙半导体材料，所以它的温度猝灭效应可 人人减弱。 1．2掺稀十GaN发光特性 在GaN中掺入不同的稀土元素可发出从可见光到红外的不同波长的光，加上GaN本身可发紫 外光，因此，掺稀土GaN材料可发出从紫外到红外波段的光。如在GaN中掺Er可发绿光，掺Pr 一种非常纯的单色光。如果掺入两种或多种不同比例的稀土元素可获得混合色彩的光，如Er+Tm发 {目家自然科学基金瓷助项日 青兰色的光，Er+Eu发桔黄色的光。如果借助掩膜技术，在一个芯片上可获得不同色彩的光，实现 全色显示。 掺稀土GaN的发光色彩纯正，与美国国家电视系统委员会采用的标准色彩图拟合得很好，这表 明掺稀土GaN将来在发光和平板显示等领域中有美好的应、用前景。 1．3掺稀土GaN光致发光 和AI，O，衬底上外延生长GaN样品，然后进行离子注入掺入稀土元素，在室温观察到很强的1．54pm 红外发光。我们还研究了不同离子注入能量、剂量和角度，不同的退火温度。不同的测量环境对PL 1400l枷…＆O15∞…5∞’∞O，6∞1640 ”■d●r口h㈣ 图1采用MOCVD、MBE方法制备的GaN：Er／A1z03的红外PL谱幽 ＆_埘ocVD制备，b_山mE制备 变温实验表明，当温度从低温(15K)升到室温时．其积分发光强度仅下降30％，这说明采_11J GaN作为稀土元素掺杂基体可大大改善温度猝灭效应。 根据背散射分析的结果，Er离子占据替位位置，替位率～76％。由于Er”处于Ga位，将产生 很强的配位场，从而增加4f-4f跃迁的几率。因此，这些处于替位的稀土杂质可以成为光激活中心。 2掺稀土GaN发光器件研究 Birkhahn采用Er原位掺杂方法首次获得绿光发射．后来红光和兰光器件相继研制成功。值得指出的 的