高压铂扩散快恢复二极管的研究.pdf

  1. 1、本文档共4页,可阅读全部内容。
  2. 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
中国电工技术学会电力电子学会第十届学术年会论文集 高压铂扩散快恢复二极管的研究 1 1 2 2 1 孙树梅 曾祥斌 袁德成 梁湛深 肖敏 1) 华中科技大学电子科学与技术系,武汉 430074 2) 上海美高森美半导体有限公司,上海 210018 1) Email :smsun@ 摘 要 本文对高压快恢复二极管的结构设计和制造工艺进行了深入分析,确定了合理的结构参数和先进的工艺流程。 + + 选用合适的电阻率和厚度的 N 型直拉硅单晶片,采用磷硼纸源扩散,精确控制基区宽度形成 P NN 结构;采用铂液态源扩散 降低少数载流子寿命τ从而缩短反向恢复时间 t ;化学腐蚀形成台面提高反向击穿电压;玻璃钝化保护PN结减小表面污染 rr 从而降低表面漏电流提高耐压;双面镀镍金进行金属化等技术。得到较为理想的反向击穿电压 V ,正向压降 V ,反向恢复 BR F 时间 t 三参数之间的折衷。器件性能优良,可靠性高,样品通过150°C/ 168小时的高温反偏实验。 rr + + 关键词 铂扩散, P NN 结构, 反向恢复时间Trr Study of High Voltage Pt Diffused Diode 1 1 2 1 SUN Shu-mei , ZENG Xiang-bin , YUAN De-cheng , XIAO min 1) Department of Electronic science and technology, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China; 2)Microsemi Semiconductor Shanghai, Shanghai, 210018, China) 1) Email :smsun@ Abstract: This article analyzed the device structure and manufacture process of high voltage fast recovery diode. Reasonable structure and advanced process were settled by a series of experiments. The N type CZ wafers were chosen as the main material. Boron and phosphor paper dopant were used fo

文档评论(0)

gubeiren_001 + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档