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线性电子电路教案 第二章 晶体三极管 知识要点： 双极型晶体管的埃伯尔斯-莫尔模型、小信号模型及其高频参数。 双极型晶体管的基本使用方法 晶体三极管是双极型器件（Bipolar Junction Transistor, BJT ），由两个PN 结组成，三个 中性区组成。引出三个电极分别为基极（Base ）、发射极(Emitter)、集电极(Collector) 。三个 中性区分别为发射区、基区、集电区。发射区与基区之间部分称做发射结，基区与集电区之 间的部分称集电结。晶体三极管分PNP 和NPN 型两种。结构示意及符号见图示。 1.1 放大模式下晶体三极管的工作原理 1.1.1 内部载流传输过程 双极型半导体三极管在工作时一定要加上适当的直流偏置电压。若在放大工作状态： 发射结加正向电压，集电结加反向电压。现以 NPN 型三极管的放大状态为例，来说明三极 管内部的电流关系， 发射结加正偏时，从发射区将有大量的电子向基区扩散，形成的电流为IEN 。与PN 结中的情况相同。从基区向发射区也有空穴的扩散运动，但其数量小，形成的电流为 IEP 。 这是因为发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。 进入基区的电子流因基区的空穴浓度低，被复合的机会较少。又因基区很薄，在 集电结反偏电压的作用下，电子在基区停留的时间很短，很快就运动到了集电结的边上，进 1 线性电子电路教案 入集电结的结电场区域，被集电极所收集，形成集电极电流ICN 。在基区被复合的电子形成 的电流是 IBN 。 另外，因集电结反偏，使集电结区的少子形成漂移电流 ICBO 。于是可得如下电流关系 式： IE= IEN ＋ IEP IC=ICN+ICn2+ICp =ICn1+ICBO ICBO=ICn2+ICp 总结两个结共同形成基极的电流IB 应为： I =I +(I -I ) －I B EP En CN CBO 晶体管的三个电极电流满足 I =I +I E C B 1.1.2 电流传输方程 电流传输方程是指晶体三极管在正向受控过程中各极电流之间的关系式。晶体管使用 过程中共有 三种接法也称三种组态，见图示。 共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示； 共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC 表示； 共基极接法，基极作为公共电极，用CB 表示。 晶体管的三种连接方式 一、 各极电流之间的关系式 对于集电极电流IC 和发射极电流IE 之间的关系可以用系数来说明，定义: α = ICN/IE α 称为共基极直流电流放大系数。它表示最后达到集电极的电子电流ICN 与总发射极 电流IE 的比值。ICN 与IE 相比，因ICN 中没有IEP 和IBN ，所以α 的值小于1, 但接近 1。 由此可得： α I =I +I = αI +I = α (I +I )+I C CN CBO E CBO C B CBO αI I B CBO IC = + 1−α 1−α 定义: β =I /I =(I + I )/I C B CN CBO B β 称为共发射极接法直流电流放大系数。于是