光学光刻新设备与技术介绍.pdfVIP

Ⅷ 29 EEPM № ．1．2o00 i 设备蒹鲻； 二f，’／ 光学光刻新设备与技术介绍 1 瑞士推出一种新颖的高分辨率光刻技术 瑞士苏黎世 IBM 实验室的研究人员已研制出一种十分简单的光学光刻技术 ，它可 以印制 比所用光波长 1／2还要小 的特征尺寸。无需复杂而又 昂贵的聚焦光学系统 。含有 图形 的 “光 图章”直接置于晶片上 ，不同于传统的接触式光刻技术要采用玻璃上铬掩模；IBM 实验室开发 的新方法采用橡胶式掩模，与晶片均匀地接触。 当光透过这种掩模时，将图像传人衬底，并在凹进区域被封锁或反射 。通过起推进作用 的 聚焦效应和 “光图章”与抗蚀剂问的紧密接触来减小光散射，使其与折射率匹配。工作人员采 用 248nnlKrF准分子激光光源已将印制的线条宽度缩小到 100nnl，但 目前所用 的 “光图章” 材料对所试验的193m 和 157nnl波长的吸收性太强。他们认为，增 大 “光图章”材料的折射 率 比缩短波长来缩小特征尺寸更重要。 该系统几乎不产生晶片缺陷或污染 ，但曝光过程 中 “光图章”推进作用的驻波效应可形成 相干图形。该研究组声称 ，这种接触式光刻系统具有同光学光刻及下代光刻技术竞争的潜力 ． 而且有助于更高分辨率作图要求而避免高投资。IBM 公司很可能在小范围内带头采用这种 新技术，目前还不会在大批量生产中使用。据称，这种技术比其它任何一种光刻技术都要简单。 2 NSR一204B高效率248nm扫描步进机 Nikon精密有限公司的第四代扫描步进机 NSR一204B生产 ≯200IIm 圆片，生产效率达 120片／h；生产 ≯300mm圆片，生产效率在 75片／h左右。这一高生产效率是通过增大工作台 扫描速度和缩短对准时间来实现的。对准精度为35rm(平均值4-3)。该机采用248m I(rF 准分子激光光源 。高性能O．68NA倍缩投影镜头允许在25n-afix33mm 的宽曝光像场 内实现 高分辨率能力。用这种大数值孔径镜头，在传统照明方式下保证 了180m 设计尺寸的作图； 用变形照明技术，分辨率可达到 150m 或更小。 3 SaturnSpectrum Ⅱ光刻设备 SaturnSpectrum Ⅲ光刻设备是UltratechStepper公司为焊凸(叩装芯片)制作研制的。该 系统采用宽带 g、h、i线光学技术。该设备可处理 1．0～10岬 厚 的 g线或 线光敏膜 。 2．0 的分辨能力 、大于 5．O 的有用焦深及提供较宽的工艺范围是该机 的主要特点。其 全 自动片子尺寸变换能力允许片子逐片处理从 100～~200mm。该步进机可曝光片子焊凸 和微加工所用的更厚光致抗蚀剂。 4 caI10n公司推出用于0．15岬 生产的KrF准分子激光步进机 凸non公司最新推出了用于 256 DRAM 器件微细加工要求的新一代 ~200mm 圆片批 ‘ 61 2000年第 1期 电子工业专用设备 茅 29卷 量生产的KrF准分子激光步进机 “FPA一3O00Ex6”，现 已开始订货。 FPA一30o0EX6是在 1998年 7月推 出的 FPA一3000EX5型 的基础上改进 的，最 明显的 特点是提高了分辨率和生产效率。该机的主要特点是 ：实现了0．15脚 的超高分辨率和每小 时可曝光 ≠200rl3xn的圆片 117枚。 该机的其它技术指标为 ： 数 值 孔 径 ：0．50--0．65可变 倍 率 ：1：5倍 像 场 尺 寸：22rnrn×22rnrn 曝光波长：248nrll 圆 片 尺 寸：最大 ≠200rnrn 对准精度：25nm 以下 掩模版尺寸 ：157rm ×157rnrn 5 Anvik公司推 出大面积光刻系统 Anvik公司推销其最新开发 的可满足大面积作 图要求 的 Hexsean系列光刻系统 Hexsean3000、2000和 1000