甚大规模集成电路硅衬底CMP浆料和技术的研究.pdfVIP

甚大规模集成电路硅衬底CMP浆料和技术的研究.pdf

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2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 甚大规模集成电路硅衬底CMP浆料与技术 的研究 李薇薇,周建伟,刘玉岭,王胜利 (河北工业大学微电子研究所,天津300130) 摘 要:碱性介质下集成电路硅衬底CMP的磨削速率与化学和机械两种作用有关,我们得 到了硅衬底CMP的数学模型V=K,P(n一7)Tv。CMP浆料的悬浮性,粘度,表面张力,流动性 都会对CMP的质量产生影响。我们通过实验找到了一种无毒无害,易溶于水,挥发性小, 能生物降解,有利于环保的硅衬底CMP浆料。大量实验证明能够达到较好的应用效果。 关键字:集成电路,硅衬底,CMP,浆料 中图分类法:TN405 文献标识码:A CMP and ofSilicon SlurryTechnology SubstrateinULSI LiWeiwei,ZhouJianwei,LiuYuling,WangShengli of of (InstituteMicroelectronics,HebeiUniversity Abstract:TherateofsiliconsubstrateiSrelatedtochemicaland polishing mechanical findtheCMP model actions.We mathematicalofsubstrate:V=KP V.TherearealotoffactorsaffectCMP suchas P(n一7)T qua]ity suspensibility, tensionand havefoundakindof viscosity,surfacefluidity.We polishingslurry whichhas of advantagesinnocuity,easydissolution,low volatility, have that effectcanbe biodegradation.Experimentsproved goodpolishing achieyed. Keyword:integratedcircuit,Siliconsubstrate,CMP,slurry 1.前言 随着微电子技术的发展,甚大规模集成电路的集成度越来越高,特征线宽已达0.09um ti 并很快达到0.045m,并且杂质扩散深度也越来越浅,生产技术要求直径300mm硅片的平 um, u 整度0.1 在25mm×40mm区域内的局部平整度0.07m,表面粗糙度达到亚纳米 级,表面和亚表面无损伤,无过分应力集中,具有高的机械强度并且无金属离子污染等等。 目前国际上处于领先地位的衬底CMP浆料由润滑剂、积压剂、非离子表面活性剂、防 毒防霉剂、消泡剂等多种添加剂配制而成。这些CMP浆料存在悬浮能力差,浓缩度低,研 磨后不易清洗和金属离子含量高等问题,并且往往对人身体有害,对环境有污染。为了解 决上述问题国内外对衬底CMP浆料做了改进,但是往往悬浮性不理想,分散不均匀,这会 使表面平整度大大下降且容易划伤¨,…,如果金属离子含量过高,它们将位于硅晶体的禁带 中央附近,起着电子和空穴复合中心的作用,是晶体中少子寿命降低漏电流增加∽1,从而 使

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