钛酸锶钡薄膜的微结构的探究.pdfVIP

2∞4年8月^^ ，臼F^—■盘豳一律—：—¨p束—H薯 钛酸锶钡薄膜的微结构研究 陈宏伟”杨传仁符春林赵莉高志强 (电子科技大学微电子与固体电子学院四川成都610054) 转变为单畴的临界尺寸在28nm一31nm之阊。 关键词：霸磁控溅_日寸fj钛酸镪锈、铁电薄膜、微结构、电畹 中图分类号■讯384 ’ ontheMicrostructureof ThinFilms Study Baxsrl一xTi03 Cben料．Chumuen Gao Hongwei Yang，ChunlinFu，LiZhao，Zhiqiang lnstitnteofMicroclectronics＆SolidStateElectronics，zxcvb卿． UniversityofElectronicScience＆TechnologyofChiIla。610054．PRChina films AbstractBariumstrontium WeIe on subslxatesRF titanate(BST)thindepositedPt／TdSi02／Si by magnetron sputtering． The and of thin structBresurface BSTflintsWClechaxacraxized composition，crystalline morphology by X—rayphotoelectron atomicforce dornmnswereobserved diffraction(XRD)andmicroscopy(炯V1)．Nanometer-sized spectrum(xPS)，x—ray by force cr／t／ca／sizefoundtobe 28amto33ran piezoresponsem／croscopya,rTv0．The is between RF strontium thin Keywordsrnagnetronsputtering，bariumfitanate，ferroelectricfilm，domain 1、引言 钛酸锶钡(Ba，Srl．：n03)铁电薄膜材料具有介电系数较高、介质损耗较低、介电系数电压变化 率大、极化速度快、耐击穿场强大等优点，而且通过调节Ba／Sr比，可使器件在室温和居里温度附 其中，磁控溅射是制备铁电薄膜最成熟的技术，虽然制备的薄膜成分与靶材有一定偏差，但它具有 以下优点：①衬底温度较低；②制备的薄膜结晶性好；③与集成工艺兼容性好；④薄膜的铁电性好 等。 铁电畴是铁电材料的物理基础，电畴的结构、类型、大小及其运动规律决定了铁电薄膜的物理 研究了SBT薄膜中的电畴结构及反转川。H 18,9]o但是，在SFM众多功能模式中人们最 察到PzT薄膜中宽1．5nm的c-c畴．分辨率优于0．5nm 常用的还是压电模式(PFM)[10-121。 ’基金项目：国家9