原位合成MoSi-%2c2-反应烧结SiC%2fMoSi-%2c2-复合材料显微结构地研究.pdfVIP

材料显微结构的研究 郜剑英o① 江 莞① 王 刚① 蒋明学o (中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构 国家重点实验室：”上海200050) (西安建筑科技大学材料科学与I程学院。西安710055) 摘要本文研究了原位合成MoSi2反应烧结SiC／MoSi，复合材料的物相组成 和显徽结构，结果表明：原位合成MoSi!反应烧结SiC／MoSi，复合材料的物相组 成为SiC、MoSi2和少量Mqsb及残余游离硅，复合材料显微组织结构疏松，颗粒 堆积呈蜂窝状。根据实验结果，讨论了显微结构的形成原因，并着重对MoSi，空心 粒子及其周围分散的小气孔的形成机制进行了阐述。 关键词原位合成二硅化钼相组成显微结构 1引言 众所周知，SiC陶瓷作为工程结构材料，具有高硬度、高强度、耐腐蚀、耐磨损、自润滑性 好、摩擦系数小、密度小等优异的特性，广泛适用于机械、打油、化工、造船、冶金、汽车、航空 航天、军工、原子能等T_ylk领域。但是制备高性能SiC材料的工艺比较复杂，成本较高。反 应烧结SiC材料工艺简单，但烧成温度一般要求超过1800Z?，同时往往含有游离硅而降低 其使用温度…。 二硅化钼是一种熔点为20306C的高熔点金属间化合物，它既具有陶瓷的耐牖蚀和高温 抗氧化性，又具有金属的导电性和高温塑性，同时还具有较低的密度和可贵的R7特性(即在 一定温度范围内随温度的升高其强度不下降)，而且二硅化钼的抗热震性和高温抗氧化性良 好_2 J。因此它是一种极具开发潜力的高温结构陶瓷材料。 已有研究表明，MoSi2与SiC具有良好的界面相容性和热力学稳定性。二者氧化过程 。郜剑英：男．1977年生；在读博士研究生，主蛰从事二硅化铝摹复合材料的自差_延燃烧台成方向研究；通信地=}If_ c。m 中间科学皖上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室．邮编：200050，电子信箱：shgaojy@homoail N高性能陶瓷制备新工艺新技术 SiC材料更好的高温抗氧化性[5·…。本文 剐性和高温强度有所提高[“，『fii且还表现出}L．eag 列原他合成Msi2反应烧结SiC／moSi2复合材料的相组成和显微结构进行了研究。 2实验过程 2．1样品的制备 本实验所用试样的制备过程如下： Si=1：2原子比、在聚乙烯球磨罐中以刚玉球为研磨介质球磨混合4h(球料比4：I，球磨机 转速120r／min)，再与SiC微粉(纯度98％，平均粒度1．63Jm)、A1203微粉(纯度98．85％， h。以 ，F均粒度0．8～1．5f*m)和活性炭粉(过325目筛)在同样的研磨条件下共磨混合24 】oonm)，在80L下干燥12h后，了二1650℃下进行烧结．保温1h，然后炉冷至室温。保护气 的体积自分含量分别为0％、5％、10％、20％、30％。烧结助剂AI，(L的加入量为1％(质量 分数)，添Jl,?81活性炭的加人量为1％(质量分数)。 2．2研究方法 利用It本理学公司生产的I)／MAXRA型x射线衍射仪(Cug。)对烧结试样的物相组 成进行定性分析，并利用OambridgeS-250型扫描电镜(sEM)对烧结试断面进行组织形貌 观察及微区成分分析(EI)AX)。 3实验结果及讨论 3．I复合材料的相组成 多组试样的XRD半定量分析结果表明，烧结试样的组成相为SiC，MoSi，及少量的 MoSi，，同时还生成了少量的 MosSi3和残余游离硅，说明Mo和s·已经发生反应原位合成r 富铂硅化物MosSi3。同时也发现试样中残留的游离硅基本上与原料中加入的硅粉的量无 关，这说明残留的游离硅并不是反应剩下的，而是高温下硅熔体在毛细管张力的作用下，渗 透到SiC颗粒间隙中而没有参与反应。这同时也说明丁加入1％(质量分数)的活性炭并