稀磁半导体(Ga%2cCr)N的第一性原理的探究.pdfVIP

第8分会场 光固化-9数字成像技术及其应用 143 稀磁半导体(Ga，Cr)N的第一性原理研究 蔺 何段海明 新疆大学物理系，乌鲁木齐，830046 摘 要 本文运用原子团模型研究了稀磁半导体GaN掺Cr的局域电子结构和磁性，计 算采用基于密度泛函理论的离散变分方法。计算结果表明Cr原子的磁矩随掺杂浓度有明显 的变化，变化趋势和实验吻合。在包含两个Cr原子的体系中Cr原子之间是铁磁性耦合，每个 Cr原子的磁矩与相同浓度下掺杂一个Cr原子的磁矩相近。对于不同的掺杂浓度，Cr原子与 最近邻N原子之间均为反铁磁偶合，Cr原子的3d电子与N原子的2p电子之间有很强的杂 化，这和晶体的能带计算方法得到的结果一致。 关键词 计算物理学 稀磁半导体 密度泛函理论原子团模型 现代信息技术通常利用电子的电荷特性来处理信息，然而对于信息的存储则使用的是电子的自旋 特性。比如，由半导体材料制成的大规模集成电路和高频电子器件都是利用电子的电荷特性来进行信 息的处理，而信息存储的任务则由硬盘、磁盘等一些由磁性材料制成的器件来完成。 如果能够把电子的电荷性质和自旋性质结合起来，使信息的处理和存储在同一块材料上完成，那么 电子器件的功能一定能够得到提高。一般来讲，用于制作集成电路的半导体材料(如GaAs，GaN)内部 并不包含磁性元素，所以这些材料是没有磁性的。我们可以将少量的磁性元素掺入这些半导体材料， 从而改变半导体材料的性质，使其具有磁性，这样的半导体材料称为稀磁半导体(DMS)，它能够用来制 作高频电子器件和光电子器件，如磁性传感器、存储器、光隔离器、光调节器等。 稀磁半导体材料无论从学术角度还是应用角度上来说都是一种非常重要的材料，它的研究对于探 索新的物理学领域和发展新一代电子器件都有着重要意义。1998年科学家H．Ohno和他的小组将磁 性元素Mn掺杂到非磁性的GaAs晶体中，他们证实了这种材料具有铁磁性，居里温度大约在110K。这 项研究工作引发了许多科学家对DMS的研究兴趣。 起初人们的研究兴趣集中在GaAs掺Mn，但是经过很多尝试，它的居里温度很难被提高到175K以 900K，而且每个掺杂原子的磁矩随掺杂量有明显的变化，这样一来GaN就成为了一种重要的半导体 材料。 本文应用原子团模型对(Ga，Cr)N晶体进行了模拟，用第一性原理方法计算它的电子结构和磁性， 并将计算结果与实验进行了比较。除了与实验比较，我们还与能带计算方法的结果进行了比较。文章 第一部分介绍计算方法，第二部分是结果的分析和讨论，第三部分是对全文的总结。 144 以科学发展观促进科技创新(下) 一、计算方法 cr原子之间是铁磁性耦合，Cr原子和最近邻的N原子之间为反铁磁性耦合，每个Cr原子的局域磁矩 为2．69肛B。 综上所述，可见大部分DMS的理论研究使用的是能带计算方法。一般来说，DMS中的磁性元素掺 杂是不均匀的，然而能带计算方法首先假设磁性元素是均匀地掺杂到主体GaAs或GaN中，所以使用能 带计算方法对于描述真实的DMS体系存在着一定的缺陷。我们使用原子团模型模拟晶体的性质，原 子团是直接从晶体中截取出来的，它的体积相对于晶体来说很小，因此它很适合用来模拟晶体的局域环 境，通过对它的计算可以得到体系的局域电子结构和磁性。原子团中心部分的原子受原子团边界效应 影响较小，因此将最感兴趣的掺杂原子Cr放在原子团中心。实验已经证实大部分掺杂Cr原子处在对 Ga原子的取代位上，所以这里Cr原予占据Ga原子的位置。计算采用基于密度泛函理论的离散变分方 3p、3d、4s、4p。实验制备GaN晶体大多为六方晶系的纤锌矿结构，计算考虑纤锌矿晶格结构，晶格常数 取自实验结果，对磁性原子进行掺杂时，没有考虑结构弛豫。 二、计算结果的分析与讨论 首先计算双原子分子CrN、GaN和GaCr的结合能，通过改变两个原子之间键长来寻找体系结合能 中CrN的结合能最低，因此cr原子取代GaN中的Ga原子在能量上更有优势，这个结论和实验符合。 计算选取三个掺杂浓度百分比——2％、3％、3．7％，三个模型分别包含50，33，27个原子，每个模型 中只含有一个Cr原子，图1给出掺杂浓度为3％的原子团模型。 图1掺杂浓度为3％的纤锌矿结构(Ga，Cr)N模型，其中包含