工艺参数对化学气相沉积法制备碳纳米管生长的影响.pdfVIP

』L——————————————!羔———丝———!L～————』业坐鱼墨里 工艺参数对化学气相沉积法制备碳纳米管生长的影响 岳玉琛，赵梦鲤，李德军 天津师范大学物理与电子信息学院．天津300387 摘要：利m化学气相沉积(【1vn)法在二氧化硅t 2实验 制备女一}列碳蚋米管，并时{同制备I艺T薮得的 碳*未菅进行T拉曼光谱和扫描电子显微镜(SEM)的 采用化学气相沉祝的方法．z烯作为碳源气体，二 叶m分析．研究发现：$反应温度∞800℃、催化荆为茂铁忭为催化剂．在=氧化硅村底r制蔷r一系列碳 SOmg、c2H：流量为lOOnd／rain时．琏*米雷古々一致纳米管。将载有．氧化硅片的石英舟放^石英骨中部 性螺旋性、堆直性较好．非碇管杂质较少。 关键词：化学气相沉积：碳纳米管；扫描电子显微镜 达到设尘温度后．通人己烯．通气速度应控制在能够使 中图分类号： IN37 文献标识码A 反应宅内彤成合适气体浓度的范喇．有利于碳纳米管 的币常生K。此时已经汽化的二茂铁在高温下分解、 l引言 释放出铁娘子．铁原于相互碰撞、团聚形成纳米级的催 自1991年碳纳米管被hi本NE{2公司电镜々家饭化荆颗粒。这些超细颗粒附着在衬底的表面和干i英管 肇r，形成均匀的催化剂颗粒膜。在其催化作用下，￡ 岛(Lijima)1首砍在高分辨电子R微镜下发现“束． 它“其独特的一维管状结构和奇特的性能吸引了粹个 烯裂斛出的碳源台在催化剂P不断生成碳纳米管。反 领域科学家的极大戈注，获得管径均^J、纯度高和结 应时间结束后．停止碳源气体的{I}给．在Ar4t的保护 构缺陷少的碟纳米管是对其性能及戊用研究的甚础， F降至窒温。 目此对碳纳米管制备工艺的研究仍是目前的热点．也 对小同12艺F获得的系列碳纳米管进行r扫描 足研究碳纳米管至芫重要的内容2。研究表明．碳纳 咀f8微镜的对比研究．采用s3500N扫描电子显礅 米管困其独特的力学、电学和化学性能．不仅可以作为 镜丧征碳纳米管的微现形貌。 独立的应用材料应用于医疗卫生领域．而且在纳米电 3实验结果和讨论 子器件、探针、微传感器、光电转换薄膜和微机械应用 方而都有着独特的优势，从而妊现出E大的应用前 3 1反应温度的影响 景“。 由图1在不问温度下制备的碳纳米管的扫描电镜 本文旨在研究和讨论反应温度催化剂和碳蔼【气 结果可知．在反应温度为750℃f同1(A))时．长成了 体流量等周素在不同程度12Xj碳纳米管的产最、质帚、无定型碳鞍多的碳纳米管，川取向性不好随着温度的 物理微观结构及其化学机械性能造成的影响，通过对 升高，尤定喇碳越束越少．碳纳水管均匀性也明显提 其生长状卷进行严格的控制和研究1．进一步得Hj长 高在800℃(酎1(B))时达到蛀佳。 势良好碳纳米管材料的最佳制备工艺。 ∽ 1cⅢ。 目1 3种平同生长m爱攀轿的硅纳米蕾的sEM囤 1 TheSEM ofcarbonnanmubesunderthreedifterem Fig image5 growth ％嚣#罂；”：嚣}。。，鉴瓣嚣；。。。。。。。。． 目Kg≮：l Z$*”n{气Ⅻ0c粤{☆Ⅻ*《*m十＆M《目 由旧2一Ⅱ“看出：碳许A耗随温度升高发‘#r‘W 显变化．许径趋丁均匀．并在800C达到衄太95nm止 右，但随温度进一步增加，选刮850℃(捌I(c))肘，m 碳管杂质却呈现li升