光学显微术的研究激光晶体Nd%3aGdVO-%2c4-.pdfVIP

262 功 能 材 料 2004 年增刊 （35 ）卷 光学显微术研究激光晶体Nd:GdVO4* ∗ 孙建亮，张吉果，陶绪堂 （山东大学晶体材料国家重点实验室，山东 济南 250100 ） 摘 要：报道用光学显微技术观察 Czochralski 方发 2 实 验 生长的新型激光材料Nd:GdVO4 晶体中的生长缺陷的 种类、形态和分布。这些缺陷包括：包裹物，色心， 2.1 晶体生长 开裂，台阶面，位错，小角晶界和位错塞积群。讨论 Nd:GdVO4 晶体是采用中频感应加热，用 a 向或 了这些缺陷的形成原因，提出了减少生长缺陷的措 c 向晶种，在铱坩埚中用提拉法生长的大单晶，Nd 施。 离子掺杂浓度为2%, 提拉速度一般为 1～2mm/h, 转 关键词：Nd :GdVO4 晶体；包裹物；位错；小角晶界； 速为 10～30r/min[3,4] . 位错塞积群 2.2 样品加工 中图分类号：O782 文献标识码：A 样品是单晶体上切割下来的，a 面和b 面由解理 文章编号：1001-9731 （2004 ）增刊-0262-04 得到，c 面是经过研磨和抛光后得到的。样品尺寸： 1 引 言 1# 3mm ×3mm ×4mm (a ×b ×c) 2# 3mm ×4mm × 5mm (a ×b ×c) 。 激光二极管抽运的固体激光器具有体积小、重量 2.3 化学腐蚀 轻、寿命长、效率高、重复频率高等优点。在军事、 加工好的样品在腐蚀前，用Opton 透射显微镜观 医疗、通讯、加工等领域中得到广泛关注。Nd :GdVO4 察了晶体中的包裹物，炸裂纹，得到其包裹物的形态 晶体因其对 808nm 抽运有宽的吸收峰、大的吸收系 及分布。然后把样品放入稀盐酸中，在 100℃温度下 数和 1.06 µm 处具有较大的受激发射截面，是一种适 浸蚀 1～5h 以上，即可在样品的各个表面的位错露头 合二极管抽运的新型激光材料，而Nd :GdVO4 晶体除 处显微出位错蚀坑，再用 MeF3 金相显微镜和 Opton 了具有在1.06 µm 处受激发射截面大和对808nm 的抽 透射显微镜观察晶体a 、b 、c 各面上的蚀象形态及其 运吸收谱带宽等特点外，与Nd:YVO4 晶体相比，它具 分布的规律。 有更高的热导率和对抽运光的吸收更高的特点[1,2] 。所 3 结果和讨论 以Nd:GdVO4 晶体是更优良的激光材料。但是该晶体 在生长过程中，生长条件较难控制和生长界面的不稳 Nd:GdVO4 晶体属四方晶系，具有锆石结构，空 定性，很容易产生各种缺陷。这些缺陷破坏了晶体的 间群为 I41/amd, 点群为 4/mmm ，晶格常数 a=b= 完整性，并使晶体的激光性能下降，影响器件的品质。 0