钛酸钡陶瓷膜形成过程的AFM的研究.pdfVIP

ElectrMicrosc．Soc 电子显微学报J．Chin 23(4)：429—4292004年 429 钛酸钡陶瓷膜形成过程的AFM研究 翟学良，杨芙丽，李纪标，周鸿娟 (河北师范大学安验中o，河北石家庄050016) 高介电薄膜材料由于具有较高的电荷存储能力 晶习性。 而作为集成电路上的芯片电容，可减少集成电路上 2结果与讨论 电容所占面积，提高电路集成效率，因而日益受到人 从AFbl照片可看出，溶胶甩膜法可在硅表面沉 们的关注，BaTiO，薄膜即是重要的薄膜材料之一。积一层厚度在为50nm以下，均匀致密的干凝胶膜 本文作者采用溶胶．凝胶甩膜法制备钛酸钡系薄膜， (图1a)。干凝胶薄膜在300：C煅烧，即发生分解并 并通过原子力显微镜(AFM)考察制备过程中薄膜的开始出现“鼓包”状的晶粒生长点，晶粒直径约为 微观形态变化及钛酸钡的结晶习性。 l实验方法 均匀的陶瓷薄膜，粒径在30—40nm，几乎是单层排 列(图lc)。当在750℃烧结时，薄膜进一步长大，形 将Ba(CH，COO)：溶于热乙酸中，加入Ti (Oq心)。，搅拌过程中加人适景的水，使其水解，用成颗粒巨大的烧结玻璃体，此时不但薄膜不光滑，同 乙二醇甲醚把溶胶调成一定浓度的溶胶，搅拌1h后 时也失去了陶瓷膜的特性。实验表明，钛酸钡薄膜 的形成过程是一个分解一成核一核生长一晶粒烧结 形成黄色透明溶胶，过滤。取滤液在单晶Si(100)片 上用甩膜机甩膜50s。采用低温风干法得到干凝胶 的典型固相反应过程，由于干凝胶的颗粒非常小，其 膜，然后在管式炉内热分解和烧结退火，得到以单晶 分解、成核过程发生在300℃左右，6000C时发生明显 硅为基的钛酸钡薄膜。利用扫描探针显微镜的轻敲 的烧结而形成良好的陶瓷薄膜。至750。C时，便发 技术研究制备过程中薄膜的形态变化和钛酸钡的结 生过度烧结而形成玻璃体膜，失去陶瓷膜的特性。 图1钛酸钡薄膜制备过程的SPM图。 ·：未烧结干凝胶膜；b：300C烧结的膜；c：600C烧结的膜；d：750E烧结的胰