氮化硼薄膜场致发射特性地研究.pdfVIP

氮化硼薄膜场致发射特性的研究 顾广瑞1，何志，李英爱．冯伟．金生，殷红，李卫青，赵永年2 (吉林大学超硬材料国家重点实验室．吉林长春．130023) 摘要本文研究了氮化硼(BN)薄膜的场发射特性与不同的基底偏压和不同的膜厚的关系。 在磁控溅射反应器中，使用高纯六角氮化硼(h—BN)靶，通入Ar和N。的混合气体。制备出了 中我们测量了不同膜厚和不同基底偏压的BN薄膜的场发射特性，发现BN薄膜的场发射特性与 基板偏压和膜厚关系很大。 关键词：刚薄膜；场发射；偏压 引 言 近年来，场发射特性的研究及其应用发展很快，90年代金刚石薄膜成为场发 射研究的热点…，得到了较好的场发射特性，近年来碳纳米管场发射研究形成新的 热点。我们选择一种新的材料即BN薄膜，研究场发射特性，因为立方氮化硼(c．BN) 是一种宽带隙材料【2J，具有高热稳定性、化学稳定性和表面负电子亲合势，其硬度高， 仅次于金刚石f”，还具备大面积发射稳定，寿命长的突出优点。 很多人利用等离子辅助化学气相沉积州，溅射沉积例，离子束辅助沉积16】，离 子镀m等各种物理和化学气相方法在真空条件下可获得c．BN或含c．BN相的膜。 我们利用磁控溅射方法，在基底加偏压和加热4700C的情况下，制备出纳米BN薄 膜。 1 实验 含量为3．6％)，在重掺杂硅基底上沉积了纳米BN薄膜。制备纳米BN薄膜的本底真 a 力为1．2Pa，基底温度为4700C，基底所加偏压为80—160V 纳米BN薄膜的厚度是利用干涉显微镜测量的，分别测出了基底加偏压为80V、 ×10。7Pa)情况下测量的。 2结果与讨论 《 1 = C t 3 o ^寸i，|c∞JJ3u 1000150020002500300035004000 、削自ge(10 殴基釉口12州岛狂呻撇蛾射m溅 对剐场发射特性的分析是利用I—V关系曲线来完成的，图l、2、3分别是基 电流为l|lA；当电压达到1850V时，电流达到80u 厚的BN薄膜场发射特性最好，起始电压为1000V，此时电流为l uA：当电压升到 2000V时，电流达到了48uh(如图2所示)。 u 膜，起始电压为200V，发射电流为1 u (1554．6cml)的混合相。 3结论 磁控溅射方法制备的氮化硼薄膜有较稳定的场发射特性。初步实验结果表明发 射特性与沉积时基底偏压有关，基底加160V偏压的BN薄膜场发射特性最好。在 纳米薄膜的情况JF，膜厚怒个霾要的因素，偏难120V时薄膜场发射好于厚膜，偏 压160V时结栗相反，场发射机理有待于进一步研究。 参考文献 and [1】￥．甄Gelsj．C。Twichetl，Appt．Phys。Lett．，67船)，1995。1328． and [2]G．M。RaoS．P．Krupanidhi，Appl．Phys．Lett．，70(5)(1997)628； [3]M．Mieno，T．Yoshida。Sur．Coat．tech。，52(1992)，97 [4]妈锡荚，岳垒顺，贺德衍。陈光华，物理学报，47(1998)，871． Solid [5]Y．N．Zhao，B．