静电场的描绘-新校区(修改稿).docVIP

静电场的描绘 【实验目的】 1、理解用模拟法描绘静电场的原理和方法； 2、学会用模拟法描绘静电场的等势线和电场线； 【实验器件】 THME-2型静电场描绘仪一套，自来水，坐标纸（自带） 仪器简介： 1、THME-2型静电场描绘仪 图1 THME-2型静电场描绘仪 THME-2型静电场描绘仪如图1所示，左图是仪器的主体部分，包括交流电源和测量电压的交流数字电压表，右图是水槽和电极。此仪器可以输出一定范围电压幅度和一定范围频率的交流电，选择开关拨到“内测”位置，交流数字电压表显示的是输出电压的有效值；选择开关拨到“外测”位置，可以直接用交流数字电压表测量待测点和参考点的电势差（电压）的有效值。水槽底部有刻度线，可以直接确定坐标或者读取刻度，顶部配有导电连杆，用于连接各种电极。 2、模拟电极 可提供两点电荷(平行输电线)，同轴柱面(同轴电缆)，平行板，长圆柱与平板，速度场，聚焦电极等模拟电极。 【实验原理】 1、直接测量静电场的困难 带电体在周围空间产生的静电场，可用电场强度E或电势U的空间分布来描述。一般情况下，可从已知的电荷分布，用静电场方程求出其对应的电场分布，但对较复杂的电荷分布，如电子管、示波管、电子显微镜、加速器等电极系统，数学处理上十分困难，因而总是希望用实验方法直接测量。但是，直接测量静电场往往很困难。因为，首先静电场中无电流，不能使用磁电式仪表，而只能使用较复杂的静电仪表和相应的测量方法；其次，探测装置必须是导体或电介质，一旦放入静电场中，将会产生感应电荷或极化电荷，使原电场发生改变，影响测量结果的准确性。若用相似的电流场来模拟静电场，则可从电流场得到对应的静电场的具体分布。 2、用稳恒电流场模拟静电场的可行性 如果两种物理现象在一定条件下满足同一形式的数学规律，则可将对其中某一种物理现象的研究来代替对另一种物理现象的研究，这种研究方法称为模拟法。模拟法本质上就是利用几何形状和物理规律在形式上相似的原理，把不便于直接测量的物理量在相似条件下间接地实现。 稳恒电流场与静电场是两种不同性质的场，但两者在一定条件下具有相似的空间分布，即两种场所各自遵守的规律在形式上相似，都可以引入电势U，电场强度E=－▽U，都遵守高斯定律。 对于静电场，电场强度在无源区域内满足以下积分关系 ， 在各向同性的导电介质中，对于稳恒电流场，电流密度矢量在无源区域内也满足类似的积分关系 ， 由此可见和在各自区域中满足同样的数学规律。在相同边界条件下，具有相同的解析解。因此，我们可以用稳恒电流场来模拟静电场，通过测量恒定电流场的电势分布来求得模拟静电场的电势分布。这种利用几何形状和物理规律在形式上的相似，把不便于直接测量的量在相似条件下用模拟的方法加以间接实现。 3、静电场与稳恒电场的相似性 （1）长同轴带电圆柱体间静电场分布 如图2(a) 所示，在真空中有一半径为ra的长圆柱体A 和一内半径为rb的长圆筒形导体B，它们同轴放置，分别带等量异号电荷。由高斯定理知，在垂直于轴线的任一截面S 内，都有均匀分布的辐射状电场线，这是一个与坐标z 无关的二维场。在二维场中，电场强度E平行于xy平面,其等势面为一簇同轴圆柱面。因此只要研究S 面上的电场分布即可。 图2 同轴电缆及其静电场分布 由静电场中的高斯定理可知，距轴线的距离为r 处（见图2b）的各点电场强度为 （1） 式中为柱面单位长度的电荷量，其电势为 （2） 设r=rb时，Ub=0，则有 （3） 将（3）式代入（2）及（1）式，得 （4） （5） （2）同柱圆柱面电极间的电流分布 若上述圆柱形导体A 与圆筒形导体B之间充满了电导率为σ的不良导体， A、B与电源电流正负极相连接（见图），A、B间将形成径向电流，建立稳恒电流场Er′，可以证明不良导体中的电场强度Er′与原真空中的静电场Er是相等的。 取厚度为t的圆轴形同轴不良导体片为研究对象，设材料电阻率为ρρ=1/σ），则任意半径r到r+dr的圆周间的电阻是 则半径为r到rb之间的圆柱片的电阻为 图 同轴电缆的模拟模型 总电阻为(半径ra到rb之间圆柱片的电阻) 设Ub=0则两圆柱面间所加电压为Ua径向电流为 距轴线r处的电为 则= （11） 由以上分析可见，与′， 与′的分布函数完全相同。为什么这两种场的分布相同呢？我们可以从电荷产生场的观点加以分析。在导电介质中没有电流通过的，其中任一体积