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静电场的高斯定理 高斯 卡尔·弗里德里希·高斯（C.F.Gauss,1777.4.30-1855.2.23），生于不伦瑞克，卒于哥廷根，德国数学家、物理学家和天文学家，大地测量学家。近代数学奠基者之一，在历史上影响之大，可以和阿基米德、牛顿、欧拉并列，有“数学王子”之称。 静电场的高斯定理 如图，在点电荷q（q0）所激发的电场中，作一以点电荷为中心、半径为r的球面，求该闭合球面上的E通量。 解：∵该球面任一 点的 ， 又∵en和er之间的夹角θ=0， 静电场的高斯定理 ∴该闭合球面上的E通量为 静电场的高斯定理 这一结果表明，通过闭合球面的E通量和球面所包围的q成正比，而与所取球面的r无关。 静电场的高斯定理 q在闭合曲线外？ 静电场的高斯定理 ？ 静电场的高斯定理 在n个电荷的情况下有： 静电场的高斯定理 高斯定理：在静电场中，通过任意闭合曲面（高斯面）的E通量，等于该曲面内电荷量的代数和除以εo。 静电场的高斯定理 静电场的高斯定理 1.当闭合曲线内q为正时，ΨΕ0，表示有电场线穿出闭合曲面，所以，正电荷q称为静电场的源头；当闭合曲线内q为负时，ΨΕ0，表示有电场线穿进闭合曲面，所以，负电荷q称为静电场的尾闾。因此高斯定理说明了静电场是有源场。 2、在高斯定理表达式中，右端 是闭合内电荷量的代数和，说明决定通过闭合曲面E通量的只是闭合曲面的电荷量（如图中的q1，q2和q3）；而左端的电场强度E却是空间所有电荷（如图中的q1，q2，q3，q4和q5）在闭合曲面上所激发的总电场强度，也就是说，闭合曲面外的电荷（如图中的q4和q5）对闭合曲面上各点的电场强度也有贡献，但对整个闭合曲面上E通量的贡献却为零。 延伸： 在磁场中，有一描述通过一给定曲面的总磁感应系数的物理量，称为磁通量。而它的的表达式为 由于磁感应线是闭合的，因此闯入闭合曲面的磁感应线数必然等于穿出闭合曲面的磁感应线数，所以通过任一闭合曲线的总磁通量总是零，即： 该式称为稳定磁场的高斯定理 静电场的高斯定理