亚硝酸根在GC%2fAQ-Os(bpy)32%2b%2fPVP复合修饰电极上还原机理地研究.pdfVIP

A075 亚硝酸根在GC/AQ-Os(bpy)32+IPVP复合修饰电极上还原机 理的研究 刘佩芳，胡军福 武汉大学化学与分子科学学院，430072 亚硝酸根是具有环境检测以及生物意义的粒子。我们系统地研究了酸性溶液 中亚硝酸根在裸玻碳旋转园盘电极 GC、金旋转园盘电极以及 GC/Nafion- Os(bpy)3GCIAQ-Os(bpy)32’单层以及GC/Nafion-Os(bpy),/PVP,GC/AQ- Os(bpy)3*IPVP双层修饰电极上的还原。发现GCIAQ-Os(bpy)3Z月fp‘vp复合修饰电 极对亚硝酸根还原的催化活性最好;NO,’在裸电极、GC/Nafion-Os(bpy)3IPVP 修饰的电极以及GCIAQ-Os(bpy),IPVP修饰的电极上还原的机理很不相同。而 双层以及单层修饰电极的反应机理基本相同。在裸电极上，NO,一的还原遵循一种 特殊的前置化学反应的CE机理。其特殊之处是前置均相反应的有效反应层厚度 很薄，具有双电层厚度的数量级。这种均相反应可以通过增加真实表面积的方法， 即催化异相反应的方法增加表观电流密度。而粉末微电极是一种简单有效的方 法。GC/Nafion-Os(bpy),Z*IPVP修饰的粉末微电极，尤其是碳纳米管粉末微电极 又呈现出新奇的性质 1-〔31.在GC/Nafion-Os(bpy),2*IPVP修饰电极上，电活性 的中间产物NO与Os(bpy),的中继催化反应为控制步骤[41;在 GC/AQ- Os(bpy穿IPVP修饰电极上，为溶液中反应粒子扩散以及中继催化反应联合控制 而又二者相互补赏的机理[51,GCINafion-Os(bpy)3IPVP 以及 GC/AQ- Os(bpy扩IPVP双层修饰电极均具有双富集、膜中双再生HNO,.加速中继体以及 反应粒子膜内传输速度。改变反应途径等多种功能。本文报道用 Saveant- Andrieux[61的氧化还原聚合物修饰电极过程动力学理论模型研究亚硝酸根在 GC/AQ-Os(bpy),1*IPVP复合修饰电极上还原机理。 如图1所示，NO,在GCIAQ-Os(bpy)32*IPVP复合修饰电极上，在0-0.6v(SCE) 的电势范围内，出现两个稳态极限电流平台。它们相应于下述(2)以及(3)的NO, 两步还原: HNO,+HraNO*+H,O (1) NO+Os(bpy)3-`--NO+O05s((bbppyy)),333’ (2) NO+Os(bpy),+H*_Os(bpy),3,+1/2N20+112H20 (3) 此外如图2所示，在200-6000rpm的转速范围内，这两步反应的极限电流密度i 均与转速。有关。而且Ili--ilw2为截距非零的直线。这些实验现象暗示，NO,在 GCIAQ-Os(bpy)广IPVP复合修饰电极上的还原的控制步骤涉及溶液中反应粒子的 扩散过程。除此以外还包含其他的控制步骤。 用各种方法测得了中继体Os(bpy)六在AQ-Os(bpy)户IPVP膜中的扩散系数 睁 七 . 性 ‘ . .