智能剥离SOI材料表面缺陷的研究.pdfVIP

、 一 智能剥离SOI材料表面缺陷研究 李映雪张兴黄如许晓燕 f北京人学微电子研究所 北京 100871) 罗晏粱宏马芙蓉 (北京师范入学射线束技术与材料改性教育部重点实验室，北京100875) ( ，lL京师范大学低能物理研究所北京 100875) 摘要：本文讨论了利用键合技术形成的SOl材料表面各种键合缺陷的形成机制，以及如何减少这些表 『自『键合缺陷的方法。 1引言 在低压、低功耗应用中，SOl技术与体硅技术相比具有更多的优越性，SOI作为--q,新的代替技术 ULSI的要求。但其高的制造成本仍旧是SIMOX技术的主要缺点，它需要昂贵的大束流注氧机，利用高 剂罐的离子注入和KnCf司的超高温退火。向BESOI技术是利用两个硅片键合来实现的，其减薄技术工 艺复杂，难度很人。 过程主要包括硅片键合技术和离子注入技术。离子注入可以使SOI材料顶部硅膜保持好的厚度均匀性和 硅膜厚度的可选择件，而键合则可保持顶部硅膜具有初始硅单晶的质量．且Si02埋层厚度可以任意选择。 。 SOl结构材料的技术已经得剑实现，但剥离后S0l结枉J材料顶部辞膜质量，特别是剥离表面硅膜的缺陷， 仍是目前在智能剥离技术中急待解决的问题．本文将就剥离后SOI材料项部硅膜表面缺陷作了研究。 2实验 实验采用N 5～1×101 氢离子的注入荆量为O 7／cm2，注入能蕈为几十到IOOKeV。键合后经两步退火形成SOl结构材 料。 3结果与讨论 图1显示剁离斤彳SOI片顺部硅膜形貌的顶视图。 图1标准清洗条件下形成的表面缺陷 ．270． 缺陷。 3．1泡 泡是在键合界面处所陷住的空气袋或者在键合前片子表面上残留颗粒所形成。颗粒造成键合界面处 的1#键合区范围可以从几个mm到lcm量级。这些泡在键合后和退火前可以利用红外透射显微镜来检测。 由于该区域未发生键台，冈此在以后剥离过程中．该处将在键合界面处剥离．而不在注氢射程处剥离， 从而造成顶部硅膜的破损。其消除办法是注意键合前的清洗。特别是清洗液的选择，清洗程序和清洗环 境是保证减少颗粒沽污的有效途径。 3．2截空潮 微空洞(Voids)是由碳氢化物沾污和十分微小颗粒联合作用所形成的，如图2所示。 图2微空洞的形成机制 这种微空洞的形成原冈是由吸附在硅片表面上的碳氯化合物引起的。在第一次退火期间，当温度升 高时，在氧化层上吸附的沾污物-—碳氢化物开始解吸，并在键台界面处形成气体陷井。随着温度的增加 这些小气袋中内侧压力增大导致sOI薄层产生塑性形变，引起硅膜的不可逆转的变化。在高温退火期间， 当气体分解并且向外扩散时，这些空洞会瘪下去．留下一个没有化学键的未键台区。因此，在注入和清 洗过程中应尽量避免碳氢化合物的沾污，井仔细选择清洗液和清洗程序是消除微空洞产生的关键。此外 对原始硅片的微粗糙度也有严格要求，为获得良好的键台界面．微粗糙度必须小于5ARMS。 在键合剥离后的SOl片上通常在片子边缘有～个宽度为几个mm范围的环形非键台区称为边缘缺 陷，这是由于商用抛光片边缘总是存在斜角的。从边缘到1．5mm处衬底厚度有所减少，因而有一个明显 f}勺圆环区，在圆环区内键合接触波是不可能传播的，形成束键合区。有时这种斜坡所造成的非键合区宽 度可能超过5mm。这种现象除了与硅片边缘处斜坡有关外，还与边缘处的粒子沾污等有关。边缘缺陷是 不可避免的，仔细清洗可以使边