自组装In-%2c0.35-Al-%2c0.65-As量子点退火后的喇曼光谱的研究.pdfVIP

2000年中国博士后学术大会论文 whichthe calnelais viathe to its momtored，inpickup controledInteract orientationand regulate pitching angle． 【作者简介】丑武胜，男，1969年生。主要研究领域为机器人技术。 自组装Ino．35弛t65As量子点退火后的喇曼光谱研究+ 余震虹。 徐晓轩。 朱箭。 张存洲。 张光寅。 (溉津大学糟密仪器与光电子工程学院，教育部光电信息技术科学开艘实验室，天律，300072； @南开大学物理科学学院光子学中心，天津，300071) 摘要 本文利屑喇曼光谱的分析方法研究了退火后的自组装h1035Alo．65As重发 现：(1)量子点经退火处理后的谱线峰位移动远大于腔对对声子的限制 效应的峰位移动。(2)经退火处理后量子点的结构进行重组，即存在着 分凝现象。原来喇曼位移在382cm1附近的峰的类AlAsLO模全部消失， 在200cm-1附近出现了一个新的峰，是类InAgLO模或TO模，说明经 退火处理原有的量子点消失，有新的类lilAs量子点生成。 关键词 量子点 喇曼位移 腔效应 应用应变自组装技术已经制备出量子点激光器，波长覆盖的是近红外和红光波段。1992 年Uneo等人报道了单层InGaAs／AIGaAs量子点结构，并且实现了室温下激光发射，阈值 量子点激光器，阈值电流密度为680A／cm2，同年，Ledentsov等人又报道了十层垂直耦合 报道阈值电流密度低达60脯的量子点激光器，其结果已接近目前最好的量子阱激光器 点激光器，在室温状态下连续工作，发射波长Z,--0．91un，闽值电流密度5kA／cm2。同年， Shemyakov等人在技术物理快报上发表文章称他们在室温下已成功地实现IW连续大功率 3As势层。 件，有源区为4．5ML尺寸的lno．“lo．36As量子点，两边各为16nm的A1064Gao 器件在77K，脉冲工作，发射波长X=707nm，阈值电流密度700A／cm2。 ‘国家自然科学基金资助项目(批准号：69778(Ⅺ7) 计算机与信息分册 1 1 自组装量子点的制备 在外延生长过程中，根据晶格失配和表面界面能不同，存在着三种生长模式：即晶格 匹配体系的二层状(平面)生长的模式、晶格失配体系中的三维岛状生长模式和先层状过渡 到岛状生长的模式。 应变自组装量子点结构的制备是利用生长模式完成的，SK(S扛anski．Krastanov)模式 生长的初始阶段是二维平面生长，通常只有几个原子厚，称之为浸润层。随着浸润层的增 加，应变能不断累积，当浸润层厚度达到某一个临界厚度时，外延生长过程则由二维平面 生长向三维岛状生长过渡(在实验上，可由反射高能电子衍射(RI咖)花样由条状向点 状变化控制)。三维岛状生长初期，形成的纳米量级尺寸小岛周围是无位错的。若用禁带宽 度较大的材料将其包围起来，小岛中的载流子将受N--维限制。小岛的直径一般为几十纳 米，高约几个纳米，通常称为量子点。 三维岛状的生长由异质外延材料晶格失配度和生长条件(如衬底温度、生长速度、llUV 比等条件)决定。控制失配层生长厚度和优化生长条件，可制备出尺寸和分布均匀((10％)， 密度为108～10”cm2量子点材料。另外这种方法的优点可将量子点的横向尺寸缩小到几十 纳米以内，可做到无损伤。 本实验样品的目的是考察量子点经退火后喇曼光谱变化的影响。量子点的形状为半球 形，量子点上面有覆盖层，这组量子点的大小相同，其尺寸为10ML。样品的制备采用退 火手段。图1是其成分与结构示意图。1号样品是未经退火的样品。2、3、4号样品是经退 火后的样品；2号样品的退火方式是首先将样品放入密封的管式退火炉，并