铸造多晶硅太阳电池表面积构化地研究.pdfVIP

铸造多晶硅太阳电池表面织构化的研究+ 陈君席珍强扬德仁李先杭 (浙江大学硅材料固家重点实验室杭州310027) 1引言 自70年代中期开始地面用太阳电池商品化以来，全世界太阳电池的年产量以l艘的平均速率增 加，而同时其成本则以7．矾的平均速率下降【I】．高效率、低成本，是太阳电池发展的主要趋势，在 材料方面，目前主要集中于研究以硅材料为基础的各种太阳电池．如单晶硅，多晶硅，薄膜硅及非晶 硅等。八十年代中期发展起来的铸造多晶硅技术因其成本低廉，工艺简单．生产率高，且与单晶硅相 比电池转换效率下降不多。近年来增长迅速，成为最有竞争力的太阳能电池材料之一。图l显示了铸 造多晶硅太阳电池的光电转换效率变化趋势【2】．工艺方面主要致力于降低电池表面的光反射，一般采 用的有减反射膜工艺和表面织构化工艺。单层减反射膜只对应特定波长有好的减反射作用，而通过表 面织构化在硅片表面形成绒面，产生二次反射．对不同波长的光都有较好的减反射作用嘲Ⅲ。硅片表 面织构化方法较多．主要有刻槽[目【日m，化学腐蚀【3]Ⅲ”等．其中化学腐蚀方法工艺简单．成本低廉， 适用大规模工业生产，是当前研究热点之一． 图1铸造多晶硅太阡{电池转换效率的燮化 u 目前在多晶硅化学腐蚀织构化的研究中存在着以下两方面问矗首先暴王业摩甩方面的闯题。表 现在腐蚀液配方和各种工艺’戤帮有不确定性，国际上在这一钡域的研究正处于起步阶髓其次是腐 蚀理论研究方面的向曩，在多晶硅腐蚀方面．腐蚀后的表面形态的形成机理，在学术井还没有较台理 的解释．眦外．针对于腐蚀的一些客观因素．如腐蚀之前硅片的表面质量状况和垃程中搅拌蛾振荡对 腐蚀的影响，都有根强的研究意义． · 2实验原理及过程 2．1硅的化学腐蚀机理 硅的化学腐蚀分为择优腐蚀和非择优腐蚀．理想的非择优腐蚀的速率与结晶学特性无关．择优腐 ·本项目受国家自然科学基盘博士点基金资助 蚀则受结晶特性影响。：本实验利用了硅在HF—HNO，基础上的腐蚀。硅几乎不溶于所 蚀S[O。，但单纯HF对硅的腐蚀作用却是很慢的。因此，硅的酸腐蚀液需包含氧化 合剂(如HF)。反应机理如下： 一 硅被HNOa氧化-反应为：3Si+4HNOa一3SiOz+4NO t+2H20 用HF去除硅的氧化产物si02，反应为：3Si02+18HF一3H 2SiF6+6H20 总反应为；3Si+4HN03+6HF一3H，SiF。+4NOf+SH。0 2．2实验设计和过程 实验所用的多晶砖硅片是由德国Wacker公司提供的铸造多晶硅。腐蚀前先把{ 为0·5cmx 0．5cm×350Hm的小片-每次腐蚀两片。具体实验过程为：在室温下 把多晶硅片直接放入盛于塑料烧杯中的一定配比的HF—HNO，腐蚀液，腐蚀一定时间 中加入大量的冷水，使反应停止，用塑料镊子将硅片取出．用去离子水中清洗，置 扫描电镜下观察硅片的表面形貌并拍摄电镜照片。 具体实验设计如下： 方案一：碱腐蚀多晶硅，参照单晶硅碱腐蚀的虽佳方案。 方案二：不同HF：HN0。配比腐蚀多晶硅的试验。HF：HNO，的配比(体积比)分别j 1，12：1，9：I，6：1，3：1，1：1，1：3，1：6，1：9．1：12。 方案三：考察硅片袭面质量对腐蚀影响的实验。抛光片和粗糙硅片，进行同等： 1)腐蚀。 方案四：加入附加剂后的腐蚀实验·考察加入相同体积稀释剂H。0，cH。cooH桫 的效果。 3实验结果与分析 首先我们对碱和酸腐蚀多晶硅表面织构进行了比较．图1和图2分别酸与碱腐自