无线耦合式MPCVD制备大面积金刚石薄膜地研究.pdfVIP

天线耦合式MPCVD制备大面积金刚石薄膜的研究 任英冉均国 芍立郑昌琼 (四川联合大学无机材料系，成都，610065) 摘要本文研究了天线耦夸式MPCVD制备金刚 2实验方法 石薄膜的特点，考察了气体压力、甲烷浓度、输出功率 厦基体位置对沉积面积及沉积薄膜均匀性的影响，并 2．1实验装置 成功地制备出直径为60mm～80turn的金刚石薄膜， 比常用的表面波耦合MPCVD设备常0备的薄膜面积 在分析各种装置优缺点的基础上，充分利用原有 扩大7一倍。 条件t我们在原有的微波等离子体化学气相沉积设各 上，增加天线耦合装置，将微波传播方向转向至较大 关键词金剐石薄膜天线耦合式MPCVD法高 速大面积 的反应腔体，使微波得以在较大的波导中传播，从而 实现大面积沉积金刚石薄膜。 1引言 本装置主要由四大部分组成：微波源，进气系统， 沉积系统，真空系统。如图1所示： 金刚石薄膜薄膜作为一种性能优良的功能材料， 它的发展越来越受到人们的关注。要使金剐石薄膜在 实际中得到广泛应用必须扩大薄膜的沉积面积，如窗 口材料本身需要大面积的金刚石薄膜，再如金刚石薄 膜在微电子装置上应用的巨大的潜在优势也要求大 面积的金刚石薄膜；另外，金刚石的高硬度使其在工 具市场上的应用前景极佳，都需要太面积批量生产。 图1实验装置图 目前实现大规模工业化生产的唯一制约因素是成本， 1：微波源；2：矩形波导{3：天线耦合嚣}4：圆形波 降低成本的唯一途径是实现大面积、高速率地沉积高 导；5：石英钟罩；6：等离子体球；7：基体 antenna 1 Schematic of coupled 质量的金刚石膜。在价格上，金刚石薄膜也具在一定 Fig diagram MPCVDreactor 的优势。比如散热片，对天然金刚石或高温高压合成 1：wflve source；2：rectgularwave—guide；3；anten— 的金刚石，随尺寸增加，价格增加很快，而CVD金刚 na；4：eneular dome；6；plas— wave—guide；5{quartz 石单位体积价格趋于不变，并在一定范围内随体积增 maball÷7：substrate 加而价格降低“j。因此，目前各国都在研究扩大沉积 2．2实验 面积的问题。微波法由于过程稳定，结果重现性好而 微波源输出频率为2．45GHz的微波，工作的输 受到重视。传统的表面波耦合石英管反应器微波，为 人功率为600W1300W，基体为si片．si基体经过 了避免微波泄漏，不能在波导上开大孔，这就限制了 金刚石粉研磨并经超声波处理。反应压力为15乇～ 反应室的