P(VDF-TrFE)敏感膜悬空结构集成热释电线阵列的研究.pdfVIP

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  • 2017-08-14 发布于安徽
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P(VDF-TrFE)敏感膜悬空结构集成热释电线阵列的研究.pdf

P(VDF--TrFE)敏感膜悬空结构集成 热释电线阵列研究 李金华‘繇王哥华一享坤·蔡忠龙“ +江苏石油化工学院功能材料实验室,常州213016 ”香港理工大学应用物理系及材料研究9,0,香港九龙 毒 摘要 x1集成热释电线性阵列的敏感膜, 用聚偏氟乙烯-三氟乙烯IP(VDF-TrFE)】薄膜作16 经遇火和70KV/mm坜强扳化后测得其相对介电常数为12..6,介电损耗蚀5约0.01.为了降 低熟导和热窑,提高探铡器的探测灵敏度,用化学腐蚀法完全去除了线性阵列下方的硅村底, 形成悬空结构.甩锁相放大器测定了该集成热释电线性阵列的电压灵敏度、电流灵敏度和嗓 声。实测得到最大电压灵敏度为107WW,最大撩测率约5×l旷锄IIzl只,W. 一、引言 利用聚偏氟乙烯(PVDF)的热释电性研制热释电传感器的工作早有报道11J.但是, PVDF的结晶相中,有明显投性的B相不能自然形成,必须对干膜作拉伸或压延形变,使本无 极性的a相转变成13相吼。这给器件研制带来

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