用新的空间调制光谱技术对半导体超晶格量子阶地研究.pdfVIP

用新的空问调制光谱技术对半导体超晶格量子阱的研究+ 陈辰嘉王学忠孙允希林春韩一龙李海涛 。 北京大学物理系，100871北京 方法之一，它是在作用电场的周期性调制下，样品材料在光子频率对应于能带结构的临界点 处存反射谱上产生锐结构，具有很高的灵敏度。然而其缺点是需要直接在样品上加电场，制 缺点，即通过光注入载流子调制样品的表面电场，虽然信号较ER谱为弱，但已广泛应用于 半导体超品格量子阱微结构的应用lI】。 reflectance— 研究，证明DR信号在临界点的幅度较PR高很多，可以与ER相比拟。然而，该方法是必 须改变样品中其一半部分的表面态，例如用化学或离子束腐蚀，电子束辐射，离子注入等实 现。 本文报道的一种新的空问调制技术，这种新的对样品实行空间调制的微分反射光调制技 术兀需对样品进行任何处理。该方法通过转动样品来实现空间调制，与沈学础等‘3悭出的方 法基本相同。 卤钨灯经HDRl单色仪分光后聚于样品上，经样品反射后，反射光的直流部分R和交 流部分AR分别通过探测器连接的电位计和锁相放大器，由计算机控制单色仪扫描和采集数 据，给出△R瓜与波长(光子能量)的关系曲线。样品必须贴在转动盘的中心，光聚成在面积约 03mm样品上约lmm宽度的长条。转动频率从0到50Hz范围内。 DR谱进行了测量并与PR谱实验以及理论计算结果相比较。实验证明：DR谱的信号比PR 谱更强，两者相一致并与理论计算结果符合的很好。图1给出一典型实验结果：应变多量子 卜6对应多量子阱阱内子能级结构。DR谱转动频率为20Hz，子能级结构5在此频率下消失， ’周家由I}!}辩孝基金资助项目．编号 当提高转动频率如45Hz时，5结构重新出现。 我们对PR谱测量中，对Ⅲ-V族半导体， ^DR ～舣用X=6328／～氦氖激光器作为调制光源，对 虿 II。vI族半导体，例如ZnMnTe／ZnTe，由于能隙 邑 较高，一般必须用氦镉激光器k=3250A作为调 制光源。与PR谱相比，DR谱测量方法简单方《 ‘ ；～＼厣 便，结果无需线形拟合，且不受选择激光光源调 |112|3f4e彳lsfs 制的限制，信号较PR更强，是研究尊膜，微结 构的有效方法。文中还对DR谱作用机制进行了 讨论。 主 ． ．● 《 ．1队八一、．·：~～ 。 f1l2ffl。E’f。ff6 Energy(ev) 图1 In，。GaxAs／GaAs(x=o．2)室沮FDR与PRj昔 参考义献 et oftheIntemationalschoolof 【1】Ch