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第五届全国超导薄膜和超导电子器件学术会议论文集 用于平面超导谐振器／磁聚焦器的YBCO薄膜研究‘ 聂璎婿张升原马平王守证藏远东 (人工徽结构和介观物理国家重点实验室] (北京大学物理系100781) 【擅耍】一不同应用目的对薄膜要求不同，最佳淀积条件也会稍有变化．我们系统地研究了淀积参量 对YBCO薄膜超导特性的影响．试验发现沉积速率对YBCO薄膜微波损耗也有显著影响． 一． 引言 为高温超导材料实用化需要，人们对各种淀积技术最佳工艺参数的确定和控制作 了大量努力，以期得到高质量的YBCO薄膜．然而，由于YBc0化合物的复杂性和各 向异性的晶体结构，薄膜晶结构和电磁性质对淀积参量极其敏感。实际淀积过程中与最 佳淀积参量问微小偏差都将导致薄膜超导特性的恶化。要得到高质量和稳定的YBcO 薄膜器件，薄膜特性和淀积参量关系的理解非常重要。 对于YBCO薄膜的脉冲激光淀积(PLD)技术，决定薄膜超导特性的三个主要工 艺参量是衬底温度(TI)，氧压(Po)和淀积速率(S)。在激光器输出能量确定和靶成 分正确的条件下，由于TI和Po在c轴和a轴外延YBCO薄膜的生长中扮演着重要角色。 人们对淀积工艺的主要注意力通常是放在这两个量的确定和控制之上。而淀积速率对 YBCO薄膜超导特性特别是一些与应用有关的特性研究报导相对较少。 为发展实用rf SQUm磁强计和进一步提高SQUID器件的性能，我们最近开展了 单片集成超导谐振器，磁聚焦器的研制工作。尽管该芯片只使用单层薄膜．但其电路图 形上的复杂性对超导薄膜提出较高要求。不但要求薄膜有较高To、J。、还要求其有均匀 稳定的电磁性能。针对于此，我们研究了YBCO薄膜脉冲激光淀积生长速率对超导和 使用性能的影响． 二． 实验 -薄虞淀积条件和性质检验方法 用于这个工作的PLD系统由我们自行设计【l】，光源是田产PPP型KrF激光器。经扛聚 透镜聚焦并咀45’入射角投射在旋转YBCO靶表面的激光能量密度s；2J／cm2．尺寸为 片制备的村底，并用银胶粘贴在加热罂上。试验中村底温度(T=一740。+1C)，氧压 (Po-30Pa)和薄膜厚度(d=柏0am)维持不变。 ·田家重点基础研究专项经费资助 田寨八六三计划资助 本文于2000年6月28日收到． 234 聂瑞娟：用于平面超导谐振器磁聚焦器的YBCO薄膜研究 淀积速率通过改变脉冲频率来实现。脉冲重复频率由II-Iz变到10Hz，标定的淀积速率 热处理程序对薄膜做充氧处理．薄膜厚度400110 m。x射线衍射判定薄膜结构质量， 临界温度L的电阻(常规四引线)法和交流磁化率测量用于薄膜基本超导性能的检验。 b7超导谐鬟嚣，碓聚焦器样品的倒鲁和性能测量． 谐振器磁聚焦器成型采用普通光刻工艺和化学腐蚀方法。由于条件限制我们没有 对YBCO薄膜微波表面电阻R。进行直接测量．而是用在与器件实际使用状况相同的条 件下测得的谐振器，礁聚焦器芯片Q值估计YBCO薄膜微波损耗。为使不同样品测量数 据可俎比较-专门设计了一个调节、封装机构可以保证所有样品Q值测量的耦合状况 相同闭． 三． 结果和讨论 -薄膜的基本性质 圈I给出YBCO薄膜(005)衍射 峰高与衬底衍射峰高(100)比值，临界 温度L与沉积速率的关系。可以看到， 譬 在确定的淀积温度L下薄膜临界温度随 沉积速率变化不太．僵其(005)峰的高i 度随沉积速率增加而减少的趋势很明 暑 0 2 4‘I101214II㈣口丑¨箱㈣竹 已 沉祝追搴(nm加h) 显。如果以YBCO的(005)衍射峰相 鼍 对高度做为C轴外延质量的一个判据， 圈1Y阢O(005)／LAO(100)和临界温度 峰高的减少意味着随沉积速率增加，薄 随沉积遗牢的变化． 膜晶体结构或结晶质量发生了某种变 化．