用高分辨显微技术对钴铬垂直磁化薄膜作微、磁结构探究.pdfVIP

1999年 第十届全国磁学和磁性材料会议论文集 553 用高分辨显微技术对钴铬垂直磁化薄膜作微、磁结构研究 潘国宏 张小平 雷晓均 t勤堂 孙允希 孙玉秀 北京大学物理系北京大学电镜室北京大学化学系 北京大学物理系 北京大学微电亍所 北京100871 阳 芳 中嗣科学院化学学研究所青年纳米科技实验室北京100080 摘要用电子束蒸镀和一极直流溅射方法分别制作了钴铬垂直磁化薄膜．1．用VSM等方法作了磁 性等测量．证明蒸镀和溅射两种方法都能制备出优质钴铬难直磁化薄膜：2．用高分辨透射电镜作了晶粒 形貌、选区衍射和能谱分析，揭示了co．cr垂直磁化薄膜的成分和结晶结构的微观状况；3．用STM针 尖显微镜作了品粒形貌、剖面曲线和AFM和MFM针尖显微镜分别作了同一选区的晶粒彤貌和相应磁 畴结构的比较．这些实验都得到很好的结果． 1．引言 钴铬固溶体薄膜是典型的垂直磁化薄膜基本品种，常用制各方法是蒸镀和溅射的方法． 常见研究一般较多限于宏观测试和某些典型微观图象．这两种制备方法从工艺和成分控制 有明显差别…心“31，但从宏观、微观结合地研究其薄膜有无差别则很少见；用高分辨电镜 和几种针尖显微镜埘它们的微观形貌和磁畴结构进行分析比较更很少见。我们在这些方面 做了一些努力，得到一些很好的结果。 2．实验 Ill t，u M。≈M1，kA／m 标记lCr,wt％iI I M。kA／ml H。I，kA／nlI△0 ev2 21，0 2．05 273 86 l l i l i 48．4 I 10 图l是选区的晶粒形貌像，箭头表示衍射像图2所存的晶粒选区。图2所示是典型的六角 晶粒衍射图象。图3箭头是作能谱图选区的晶粒，图4能谱图表明是富钴的品粒区。 的磁畴结构图像f右)的比较。 3．讨论与结论 1．从表1．可以得出结论，蒸镀和溅射两种方法尽管工艺筹别较大，但都可制备出优异的 钻铬垂直磁化薄膜。从sTM品粒形貌和削面曲线看，虽然有些差别但不属本质差别。 2，从高分辨透射电镜的选区晶粒形貌电子衍射和能谱分析等结合分析可以得出结论，薄 膜并不是简单的均匀相固溶体，而是不均匀多相多晶的混合体。品粒尺寸约为几几十11111。 点畴，或短粒度细迷宫畴。其亮、暗畴区磁化强度垂直膜面但方向相反。而且磁畴都比晶 粒要大，晶粒约为10—60nm，而磁畴约为I 00—600nm，即。个磁畴约包含了多于几十个晶 粒组成的晶粒束。 结果各有特色。其共同特点即分辨率都很高，达几到几十纳米数量级。其中HRTE}a的成像 最清楚。AFM和MFM又可结合观察同一选区的晶粒形貌和磁畴结构。其原理可参阅文献“]。 554 会议论文集 1999年 参考文献 【1】手荫君，_f勤堂，潘国宏，唐谦，张绪信，王焕元，沈建样，李靖元．磁记录材料．特l辑。1985．p98． the Jiabin，SuHongyu，Jia Wei，Proe．of [2]PanGuohong，WangQintang，Luo Jingdong，Hong l铲 Inte