由WNi金属薄膜形成光弹波导结构地研究.pdfVIP

摹5期 2000年全国基础光学与光物理学术报告会论文捕要集 441 J’碳在GaN中的形态+ 阵开茅孙文缸武兰青张伯蕊 乔永平是慝朱美栋寨国刚 (北京大学自理暴 |匕京1008711 氯化锋是讨遗蓝光或鬻外光器件以及大功事器件最有发晨前堆的半导体材料之一．茂杂质(包括p直和 和Hall效应。发现两十重要的实验事实·在适当的量度范圈内，在洼cGaN中存在石墨微晶IGaN中分离 的C是受主． 文中所用样品的捌．f#过程是在(00D1)晶向的兰宝石村底上用叠属有机汽相沉积(MocVD)技术生长的 l“mGaN外瑶屠．外蓬层的自由电子浓度和l尔迁移亭分别为l～5x1017cm_3和60～230cm2，V8．在童 量下对G6N井鼙层的c注入瞳量和剂量分别为40kev和3×10峙，cm2．注入后的部分样品烃受3Do～1300 ．|c的性童退业，W一采部分在500～100D℃沮崖范置内进行护退火，逼火气氛为N2， II 拉蔓■量是在童量情况下在R￡in8hawspechometer上进行的．用Ar+l舳er的514．5nm线作为教 HL 譬■．1尔教应捌t是在B10RAD550D仪器上完成的，翻t量度为童温． 比较注c前后及遇火后GaN样品的Ram毗谱。发现当退出温崖高于400℃时。注c的样品出现两十 与c有关的峰．峰的中心分别在1350cm一和1600锄“处．经分析两峰键指认为sP2成憾的c．扫为它 们分捌对应于石墨曲声子态密度●I．大块完整的石墨具有单一Ram曲峰，位于1580锄_1附近，面石墨t ■毫动手石■除遘—蜂外还具有另一R珊afl蜂．位于1350锄“附i丘R砌锄潮试进一步衰明，雎着快建 退火量度的撼高．两峰的宽觳卓面强度增加．选童睐着量度升高但进石墨批形成和长大及■角畸变程度^ 小．炉遇火豹实睦寰嘲，当量度升高到1100℃时。两峰的强度麓着退出时问的增加而迅速囊碱．并覆快^小 刭m血越誊仪嗣量是般度之下，遣表明GaN中的石墨誊牧将在1100℃时升■并扩散为分立态． HaIl测量衰啊．c注入并烃50D℃炉适止后的GaN与生入前相比，其中的t流于有明显的增加，说孵 部分注入c进入Ga位成为电澈滑的浅施主‘同时t尔迁移事降低陌倍．这是注入损伤残余和注入c共同造 成的结果．当炉退火温度从500‘c升高到1000℃时。样品的自由藏泷于浓度下降西十致量级及Hall迁咎丰 降低一半，遗说明在较离的炉退火置庄下，更大部分的注入c替代N的位置，释放出空穴并补偿GaN中的 min炉退火后．样品的电阻亭突然升高三十数量级．这一退火置崖正好对应样品 自由电于．当在110D℃20 中石量囊团分■的量度，可以设想此时样品电阻率曲突然上升是由于石墨麓粒的迅速分解和扩t为分立舶c 秆．并避一步形成受主和太量丰卜偿导带电子遣威的结果．上述研究结果对进—步研究GaN中的碳^于注入 及其对GaN材料特性的影响是十分重要的，它具有理论和应用的双重蕾义．我们将对其进—步研究． ·瞳塞宣接科学基盘资助项目 邢启江棘万动 (北京大学钓理摹北京100871) 千■童光电子器件具有墨集成的特点．所驻I它一直是人们寤*趣的研究课题．光弹靛应光电子嚣件是一 种适合光电子集戚的新囊平酉强船件螭构．自70年代中期．人t】抗开始研制平面囊llI-V族化音韵半导体材 抖的光弹效应波导器件．髂而由于不彝控■弓1人半导体内的应力萄舟布，尤其矗引入应力坜士怖的热穗定性 盖．因面选种平面直泣导器件的翻作技术没宥褥翻广泛地使用．最近发现利用盒■与半导体问的再冒反应．或 者样品在童藏负傅压作用下射鞭辗射佩强慕敦大的垒■—■于IlI-V族吡音{膏半导体衰面，使盒属尊膜下的 半导傩内形成t定的应力场分布．本文从理论上详鲤地研究了不l可宽度wNi尊虞应盘基在hIGaAsP／InP双 鼻冀结构中形成的应力场分布及光弹谴导结构的形成．同时从实硷上证实丁wNi黼瞄成的光孽谴辱佑扮对 InGaABP，IIlP职异质结构捌向光具有良好的限制作崩． ———馐了丁丽硼r———————一 量子电子学报