星用低噪声场效应晶体管可靠性研究.pdfVIP

星用低噪声场效应晶体管的可靠性研究 刘晨晖 (信息产业部电子十三所石家庄050002) [摘耍j本文介绍了星用C波段低噪声场效应晶体管研制过程中材料、0．25urn精细准“T” 型栅、金属化系统、ShN。钝化、装架技术和颗粒噪声(PIND)等多项可靠性专题研究． 给出了研制的高可靠低噪声GaAs FET在4GHz下的攫l试结果：噪声系数Nt0．6dB(最佳 值O44dB)，相关增益G。12dB(最佳值14．oclB)。 [关键词】GaAsFET，低噪声，可靠性 oftheLowNoise ReliabilityInvestigation FETfor Satellite Application LiuChenhui (n”13th institute，MinistryofEI，Shijiazhuang,050002) Abstract：Thereliability ofthematerial，025urnfree investigations quasi‘T’gate， in andPINDCbandlownoise嘲bforsatellite metallization,Si3N-passivation,assembly are thenIeasuremezltsreliablelownoiseCraAsF13Tat application ofhigh 4GHz presented,and arc asfollows：noise than given figureNtlesso．6dB(optimalvalue：0．44dB),associate4gain瓯 odB)． greaterthan12dB(opfma]value：14 一、引言 随着我国航天事业的发展，星用半导体器件和电路的需求量日益增大。为了满足通 讯卫星对场效应晶体管的性能和可靠性要求，在器件的电参数、结构、材料、工艺设计以 及研制、生产、筛选、考核的全过程中都要考虑可靠性至关重要。我们在星用C波段低 噪声Go．AsFET的研制过程中开展了材料、0．25urn精细准“T”型棚、金属化系统、si小r, 钝化、装架技术和颗粒噪声等多项可靠性专题研究，成功研制了高可靠低噪声GaAsFET。 二、原理及可靠性设计 FET的噪声遵循以下规律： 众所周知，微波低噪声GaAs FI击产l+Kfc“R，Kyg田)m =l+l文(k十Kyk)1■岛 式中，f一工作频率。S一特征频率．C，一栅源电容- Ⅱ一跨导， ＆一栅极电阻，R一源极电阻· K一与材料有关的系数 ·128· 从上式可知，要降低噪声系数就要提高GaAs材料的质量，提高特征凝率，减小栅 极电阻和源极电阻。特征频率与栅长成反比．缩短栅长是提高fT的有效办法。性能优良的 微波GaAsVET都是在保证成品率的同时把栅长尽可能地减小。但是援长与栅阻成反比， 为了解决这个矛盾．采用了o 证o3um)的同时，又大幅度减小了栅阻，其阻值约为同栅长矩形栅的l／3。还使栅极的 可靠性得到了提高。 但MBE材料的外延层厚度和参杂浓度可精确控制，有更高的均匀性和重复性，更有助于 可靠性的提高。因此选用SI-N．N．N+结构的MBE外延材料(如图1所示)。