以聚硅烷为抗蚀剂激光光刻研究.pdfVIP

第十届全国电子柬离子柬光子束学术年会 以聚硅烷为抗蚀剂的激光光刻研究‘ 傅鹤鉴1，谢茂浓2，马洪1，谭建1，苏志珊1。曾红梅1 (1四m走学化学乐，成都610064；2四Ⅲ大学物理系，成都610064) 摘要：用自制的聚硅烷为抗蚀荆，分别用酚醛树脂、聚氨脂树脂和醇酸树脂作平坦层，以 理，实现了亚微米线宽的掩模图形向树脂平坦层的转移，初步对树脂平坦层、聚硅烷结构、分子 量、曝光、显影、刘蚀等I艺条件进行了探讨。 关键词：聚硅婉抗蚀荆；准分子激光光刻；02一RIE 1前言 当前，信息产业突飞猛进，微电子工业成为各国的战略工业，竞争非常激烈。在集成电路 的刻蚀加工中，光学光刻一直处于主导地位。由于光学分辨率、衍射效应、焦探要求等客观限 制，运用越来越短波长的紫外曝光已成为必然。光刻光源正从过去使用的g线(436nm)、i线 刻分辨率也不断提高，对与之配套的光刻胶也提出了新的更高的要求，特别是为能适应干法刻 蚀，我们开展了聚硅烷抗蚀剂的研究。 紫外范围存在强列的吸收”。，聚硅烷成膜后在紫外光的辐射siSi链发生断裂，即光降解成 为小分子12J，或发生光交联，生成不溶的交联高分子[3J。利用上述性质，可以将聚硅烷制成正 性或负性的高分辨的紫外光致抗蚀剂，这是聚硅烷功能材料很重要的应用领域-4t5J。 对聚硅烷的研究发现L6J，其具有以下优良的性能，可望作为高性能的紫外及离子源光刻 胶：(1)在一个宽的光谱范围对紫外光敏感，另外，对X射线、e电子束、7射线也敏感，辐照后 发生光降解生成的低分子量碎片可被溶剂洗去；(2)由于聚硅烷硅含量高，在氧等离子体处理 时直接在聚合物表面快速生成一Si02薄层，可以保护下面的树脂，具有强的抗氧等离子体蚀 薄膜，在硅片、金属、树脂等基底上具有较好的附着力；(4)与其他高分子聚合物相容性不好，界 面清晰；(5)利用曝光前后聚硅烷的溶解性质的巨太差异可实现显影；(6)具有好的热稳定性、 聚硅烷抗蚀剂可在20012下长期使用；(7)通过调整聚硅烷的取代基、分子量、主链结构等，使 -基金项目：国家自然科学基金资助项目 ～—365 湖南·长沙 其在广谱光敏的基础上实现更强的专一性；基于以上特点，聚硅烷作为光致抗蚀剂得到了人们 极大的关注，在如F几方面得到广泛应用【“：(1)在三层工艺中作为可溶性的Q—RIF阻挡 层；(2)在双层工艺中作为成像层和02一RIF阻挡层的组合层，这无论对湿法或干法显影皆适 宜；(3)为离子辐射提供新的抗蚀剂材料。 我们曾采用308nmXeCl准分子激光研究了聚硅烷薄膜的光降解和光刻，以玻璃片为基 底，旋转涂布，分别以酚醛树脂和聚氨酯树脂为平坦层，以聚甲基苯乙基硅烷和聚(二甲基硅烷 共甲基苯乙基硅烷)为成像层和阻挡层构成双层工艺，进行接近式曝光，用混合溶剂显影，并通 J。在此基础上，我们又研究了醇酸树 过02．RIF处理，获得了0．53～0．869in的亚微米图形18 处理，实现了亚微米线宽的掩模图形向树脂平坦层的转移，初步对相关条件的影响作了探讨。 2实验 (1)试剂与仪器 试剂：环己烷，THF为分析纯：所用聚硅烷18(一SiMePe)。一聚甲基苯乙基硅烷、58(～ 二苯基硅烷))系自制，分别溶解在四氢呋喃中制成饱和溶液过滤，除去不溶杂质，加入适量沉 酸树脂：ZBG51033—87。 仪器：激光能量由I，Plj一1A激光功率／能量计测试；激光光源为400XRXe(31分子激光 净匀胶台完成；02RIE处理由国产GP02一Oj型高频(氧)等离子发生系统完成；掩模为经特 殊加工制成的具有1．5“m、1．0pm、0．5,um左右线宽镀铬石英基片掩模；样片观察由普通光学 显傲镜完成。 (2)实验方法 将表面处理干净的玻璃基片以2000r／min转速持续20秒分别涂上三种不同树脂，加热 至60℃焙烘一小时，自然冷却，在空气中放置24小时，至表面完全干透，再用0．10mol／1，5．0 膜上涂上聚硅烷，避光真空干燥12小时。 用垫片使掩模与涂片保持约10脚距离，真空负压接近，用308nmXeCl准分子激光进行脉 冲曝光，同时用能量计对激光能量进行监测。 曝光后的样片用混合溶剂显影，再进行oz—RIE处理