Helicon离子源的实验研究.pdfVIP

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2008 全国荷电粒子源、粒子束学术会议论文集 Helicon 离子源的实验研究 缪婷婷,尚勇,赵红卫,孙良亭,张雪珍 赵环昱,王辉,马保华,李锡霞,朱玉华,冯玉成,李锦玉,刘占稳 (中国科学院近代物理研究所 兰州 730000) 摘要:Helicon 离子源能够产生密度高而均匀的等离子体的特性,在离子源技术,等离子体物理研 究以及航空推进器等方面有着广泛的应用。本文完成了 Helicon 离子源的设计、加工组装及初步 调试,在低功率下起弧的基础上,利用 Langmuir 四探针诊断方法初步研究了 Helicon 源中等离子 体的特性,并进行了离子束引出初步实验,获得了初步数据。 关键词: Helicon 波,等离子体密度,Langmuir 四探针。 0 前 言 Helicon 波是一种右旋极化波,以ω ω ω 的频率在轴向磁场中传播。由 Aigrain 在 1960 ci ce 年首先提出用以描述在高电导率的介质中传播的低频电磁波。1970 年 Boswell 等建成了第一台 Helicon 等离子体源,产生的等离子体密度大于 1013cm-3 ,由此发现了 Helicon 波激发放电具有很 高的电离效率[1]。1985 年 F. F. Chen 提出 Helicon 波是通过朗道阻尼的方式加热电子的物理机制 [2],这一提法得到了 Shoji 和 Boswell 等人的实验验证[3],现在已为人们普遍接受。90 年代 F. F. Chen 又进一步提出弱 Helicon 波阻尼和强 Trivelpiece-Gould (TG )波阻尼导致了 Helicon 波放电 产生等离子体的高离化效率的物理机制[4]。到目前为止,虽然对于高频功率耦合到等离子体中的 物理机制仍然没有得到准确的解释[5],但是它的应用范围日益广泛。 Helicon 源的高密度和高离化率特性,在加速器应用中可作为离子源,在等离子体物理研究中 可用于提供有效的实验手段,在半导体应用中已用于材料加工,超大规模集成电路加工工艺,在 微机械加工以及气体激光器等方面都有广泛的应用[6]。在本课题中,一方面 Helicon 源可用于等 离子体聚焦和等离子体剥离膜的研究,从而代替现在使用的碳膜束流剥离器,提高加速器的束流 品质;另一方面,Helicon 离子源可作为强流离子源,提供强流单电荷态离子束。 1 Helicon 源基本原理 Helicon 波由射频天线激发产生(图 1),在与外加磁场平行的等离子体柱中传播。通常人们 使用 m =1 模式的 Helical 半波天线,使电子获得能量,游离工作气体,从而维持高密度等离子体。 Ee B Ees I I Rf R 图 1. Helicon 波放电天线简图 图 2. NagoyaⅢ型天线耦合原理 如图 2 所示为 NagoyaⅢ型天线,当给天线中馈入高频电流后,平行于轴向磁场 B 的射频电 流 I 感应产生横向交变磁场 B 。B 反过来又产生感生电场 Eem , Eem 在放电过程中会造成电荷分 离,从而形成和等离子体波耦合作用的空间电荷电场 Ees ,在轴向,Eem 和 Ees 方向相反,当达到 平衡时,Eem +Ees 几乎为零。在径向,Eem 和 Ees 方向相同并叠加在天线两端产生方向相反的径向 电场。激发出的 Helicon 波俘获并加速等离子体中的电子,使其获得很高的可离化气体分子的能 123 2008 全国荷电粒子源、粒子束学术会议论文集 量。 Helicon 波与 whistler 波比较有两点不同:1)Helicon 波的频率较低,2 ) Helicon 波在圆柱 边界条件下传播。Whistler 波的色散关系如下: 2 2 2 c k ω p 1 ? 2 1 ? cos ω ωω ω θ c 近似计算可得 Helicon 波的色散关系: 2 ω ω n 3.83 p ? ? k eμυ ≈ 2 0 p ? ? 2 k ωc B a c ? ? 其中,v ω/k 是波的相速度,它取决于朗道阻尼机制。由(2 )式可知:对于给定的放电管 p // 半径 a ,电子密度与磁场强度成线性关系。Boswell 通过实验获得的电子密度与磁场的线性关系如 图 3 所示。 图 3. n-B 线性关系(p =180W) 现已证实,Helicon 等离子体中存在以下多种加速电子的波模式:1 Helicon 波,一种快波模 式;2 Trivelpiece-Gould TG 波,一种慢波模式,它通过三种物理机制产生:高频电流激发,表 面模式转化,Bulk 模式转化;3 离子声波等。

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