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对软磁铁氧体产业技术研发方向的探讨 横店集团东磁股份有限公司 张爱国 中电元协磁性材料与器件行业协会顾问 巩仪俊 2008年由美国次贷危机引发的全球金融危机同样也波及到我国的磁性材 料行业，由于国内外的市场急剧萎缩，从2008年第三季度开始订单大量减少。 企业资金紧张、熟练工人和技术工人的流动性增加等不利凼素给生产企业带来 了极大的困难和危机，造成了很大的压力。湎对这种严峻的局而，必须要增强 信心，除了进行企业体制革新、经营创新、管理创新外，材料、产品和工艺技 术必须也要随着应用领域的不断拓展，加强对应的各类新型材料的研发并推向 市场，例如Mn—Zn功率系列材料的宽温j宽频、低损耗 低磁通密度F的损耗 6／lI、高磁通密度下的功耗Pc ；高Bs、高DC-Bi 冈子tg a≮材料；更低的总 谐波失真系数 THD 等。Mn—Zn高导材料Il j 18000的材料：毓产：及超高ui材 料的研创；以及高磁导率射频宽带Ni：Zn材料和抑制不同频段电磁T扰的抗EMI 铁氧体材料的研发工作。不断拓展和满足在通讯领域、计算机领域、汽车电子 领域、消费类电子 包括绿色照明、教学模型、游戏机等 和环保能源领域等 新兴市场中的应用和要求。但是根据基础铁氧体理论分析，一种软磁材料不可 能同时兼有各种有利的磁特性，每个磁特性的提高是具有r。定的限度的，而且 在某些特性之间总是相互折中的，如不能在获得高的磁导率的同时也得到最低 的功率损耗。对各领域应用材料的研发首先掌握产品的使jij条件、使用环境是 非常关键的，这给材料开发当中各个特性指标间的取舍是有重要指导意义的。· 比如我们刚开始开发照明类产品时，拿到客户要求的指标后评估用常规的 DMR40材料就能满足使用的频率和损耗要求，但是屡次送样部不能使客户满意。 后来我们技术人员亲自走访客户了解了照明灯具的使用条件不同，有在封闭式 条件下使用的，磁芯周边温度达到了t4012，这就要求材料的功耗谷点向140 ℃调整，还有一类是在开放式条件下使崩的，磁芯周边温度只有70℃，…这就要 求材料的功耗谷点向70℃调整a回来后我们有的放欠的对材料进行了稍微的调 整，再送样品马上就得到了客户的认可。 企业不足纯粹的科研院所，离开市场的技术进步对企业来讲意义不大，追 求效益是企业的使命，技术创新 技术进步+市场化+企业效益。在企业内部，所 有的技术研发创新要转化成生产力，转化成企业效益，才是有意义的技术创新。 技术创新的代表人物是比尔．盖茨，他是优秀的软件工程师，t订．他最大的价值 219 是将技术转化成了生产力，创建了微软这样伟大的公司。l大l此，今后材料研发 的方向应该是以市场为导向，根据应用的条件来确定研发疗向，更要根据研发 项目所创造的经济效益确定研发的导向。 对于软磁铁氧体产业技术的研发我们将其分为三个方而。材料研发、工艺 研发和产品研发。这三个方面即相互关联又有各自的独立性，企业在小同的发 展阶段对三个方面的研发会有着不同的侧重，拿我们东磁公cd来说，软磁产业 起步至今才仪仅十余年的时间，在前十年的创业过程中，对j：材料研发的投入 是整个研发力量的80％，也取得了不菲的成就，．仅Mn—zn铁氧体材料就有十几 种新材料推出，基本满足了市场上各种产品用途的需求。fH．足有了这些材料就 能完全满足市场的需求了吗?经过近几年市场的考验，我们得到的答案是：No! 样环和测试数据客户认为都是相当理想的，但是拿出量广：的制品却远未能达到 设计水平，我们对客户提供的制品对比后才发现，我们的制品从外观、结晶状 态、磨加_T面这些表面可见的状况对比就存在着明显的差异。这充分说明的我 们工艺研发、产品研发水平的不足。再比如我们2006年开发的高导EP系列的 产品，THD问题一直网扰和影响着这个开发的进度，在这个项目I：我们就走了 弯路，开始时我们总以为是我们的材料有问题，拼命在材料工艺上进行试验改 进，各种不同的小料配比，配方调整、原材料更换、预烧温度、砂磨粒径调整 等等的试验做了上百次，产品的THD都没有得到明显的提高，反而到是给我们 的技术人员积累了很多的数据和经验。然后我们改变了研发方向，从窑炉的烧 结温度气氛调整控制晶粒的长大，磨加工的砂轮、走速等参数，清洗介质更换 试验，经过这些工艺上的研究和试验我们在短时间内使川同等材料制品的THD 水平降低了5db之多，使TFID闯题得到了解决。吸取以卜两个事例经验教训， 我们今后研发的方向应该向工艺研发和产品研发的方向偏移。 众所周知，进入2007年3月以来，人民币升值、坂辅材料涨价，甚至包 装材料都有超过20％的涨价、劳动力资源紧缺和成本提升、能源成本上升，油、 煤涨价及运输成本的．卜涨、国家及