Si衬底GaN基功率型蓝光LED芯片老化性能探究.pdfVIP

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2017-08-13 发布于安徽
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LED荟片设计、舅造租工艺技术 doi：lO．3969／j．i8蛐．1003·353x．20lO．也．012 Si衬底GaN基功率型蓝光LED芯片老化性能研究封飞飞1，刘军林1’2，江风益I，2 (1．南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心，南昌330047； 2．晶能光电(江西)有限公司，南昌330029) 摘要：报道了本研究组制备的Si衬底GaN基功率型垂直结构蓝光LED芯片的光电性能与电流、老化时间的关系。采用压焊和化学腐蚀转移技术，制备出l唧×lmm的芯片，该芯片封装的LED经过900 044 n认、常温下老化l h后，没有观察到明显光衰，小电流下外量子效率随老化 Il认的主波长变化不超过O．2nm，将之归进行而提高，而大电流下外量子效率未见明显变化，350 因于si衬底GaN基薄膜较好的晶体质量、良好的散热性以及较合理的芯片结构。综上所述，si 衬底GaN基功率型垂直结构蓝光LED芯片具有优良的可靠性。关键词：硅衬底；垂直结构；光衰；外量子效率；主波长中图分类号：TN312．8文献标识码：A Cha髓cteristi娼ofG州-B嬲ed A西Ilg mglI-Power BlueLEDonSiSubstr盈“您 Liu Feifeil， Feng Julllinl一，JiangFengyil，2 (1．＆hⅢ溉脑撕凸191m蜊岵觑删‰加￡删痢黜卿蹴M哦渤厶口，ldDet妇，舭l融Ⅱng 功渤嘶，№w^哪330047，‰；2．础觑州(妇耵咿i)co毋删如n，舭眦胁愕33∞29，‰) between current舭dtimeof Abs柏ct：ne坞latio啮hipoptoelectric刚b眦粕ce，aging higll·po们r GaN-b够edvenicalstmctu陀LED si chipswe他mported．Byb帅dirIg肌d托Inovingsubstm同tecllIIoIogy， GaN-basedLEDtIIin6l脚啪陀transferredtoa n州Si andthevenicalstmctu他LED substrate， chips oftheLED after (1 w鹊inv髓tigaledagiIIg mm×l姗)wem铀五catIed．1he叩toelectricpe面瑚肌ce chips 9()0mAatroom 舳dexl烈llal under 1眦Mh，lmobviouslumin伽s wasfound， temper砒u他for decay qu锄tum inc陀a∞for low a cun℃n