基于纳米压入技术低介电材料薄膜性能研究.pdfVIP

基于纳米压入技术的低介电材料薄膜性能研究 刘志远高雪玉杨庆生 (北京工业大学机电学院，100124) 摘要： 近二十年来．主要用于检测材料表面微／纳米尺度力擘性质的纳米压入技术发展迅 速．本文通过纳米压痕法测量了低介电材料薄膜的纳米压入硬度和弹性模量，研究了低介 电材料薄膜基底效应对测试薄膜力学性能的影响．研究结果表明，纳米压入技术是测量薄 膜硬度和弹性模量的有力工具，并可作为有效的实验手段对薄膜的基底效应进行研究． 关键词：纳米压痕法；低介电材料；硬度；基底效应 一、实验仪器简介 纳米压痕仪是一类先进的材料表面力学性能测试仪器．该类仪器装有高分辨率的致 动器和传感器，能提供高分辨率连续载荷和位移的测量【l】。 本实验使用的是美国安捷伦(Agilent)公司生产的最新产品G200型纳米压痕仪 (nanoIndenter ContactModule{DCM G200)，使用的压入系统为动态接触单元Dynamic 选件)，这是一套超高分辨率压痕系统，位移分辨率：0．0002nm，载荷分辨率为InN，对 一般的机械噪声不敏感．因此利用它进行的压痕测量信噪比特别好，数据的精度更高。 该部分对于薄膜、涂层、表面改性材料中的不同相和不同晶粒的力学性能测量和研究极 为重要，因为它能使得基底效应和周边效应问题迎韧而解。 二、相关原理 隆丝 ㈣ 三、实验结果与讨论 本宴验采用的是以硅为基体的低介电材料(10w-k)薄膜，先将抛光后的材料用AB 胶轱到载玻片上．再用热熔胶将载玻片粘到样品托盘上。实验l和实验2分删设置堆入深 度为520啪和60响。实验结果如图l和圈2，实验I都分压痕形貌如圈3所示。 圜 目l薄m＆月目鹰≮度I}fI线 一 目2∞Ⅸ^女Ⅷ＆一镕度自线 嬲 目3#Ⅸ*《月女}R傲镕舶片 结果显示：薄膜实验压入深度的设置，对最终铡得薄膜的真实力学性能至关重要 参考文献 i 349—363 *辜$．*n敦蚺米*廑技术∞＆％自＆月U】力学*E-2002-32(3h elasticmodulos 2 Oliv日WCPlan-OM hardness∞d u搴mg ^|IImlnⅥvedtceamquefordetermining load 1564-1583 anddjⅫlao咖曲￡蝴bIIlgmd∞锄岫elp“m咄JMa时Reg·I蚋2·7(q 3 JMAm-1939-10：“1一175 LoveAEH№岫Bp曲l皿foran目d∞∞Q a 4 Snedd∞INThc日】“呻¨蛳】Od bo峨inesqp,oblemfor and肿d幽nmmc“唧mm训c Int Sci，1965，3：4}—56 FⅢnofarbilr町profil