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多晶硅,灰色金属光泽。密度2.32~2.34。熔点1410。沸点2355。溶于氢氟酸和硝酸的混酸中,不溶于水、硝酸和盐酸。硬度介于锗和石英之间,室温下质脆,切割时易碎裂。加热至800以上即有延性,1300时显出明显变形。常温下不活泼,高温下与氧、氮、硫等反应。高温熔融状态下,具有较大的化学活泼性,能与几乎任何材料作用。具有半导体性质,是极为重要的优良半导体材料,但微量的杂质即可大大影响其导电性。电子工业中广泛用于制造半导体收音机、录音机、电冰箱、彩电、录像机、电子计算机等的基础材料。由干燥硅粉与干燥氯化氢气体在一定条件下氯化,再经冷凝、精馏、还原而得。
多晶硅可作拉制单晶硅的原料,多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如,在力学性质、光学性质和热学性质的各向异性方面,远不如单晶硅明显;在电学性质方面,多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅显著,甚至于几乎没有导电性。在化学活性方面,两者的差异极小。多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别,但真正的鉴别须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等。
多晶硅是生产单晶硅的直接原料,是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料。被称为“微电子大厦的基石”。合成中的物料及三氯氢硅的性质一、工业硅(粗硅)
工业硅的制备方法很多,通常是用还原剂将SiO2还原成单质硅,还原剂有碳、镁、铝等。用镁或铝还原的SiO2如果还原剂的纯度较高的话,那么所得的硅可达3~4个“9”。在一般的工业生产中常常采用在电炉中用焦炭还原SiO2来制取单质硅,即把碳电极插入焦炭(或木炭)和石英组成的炉料中,温度为1600℃~1800℃还原出硅和CO,反应如下:
SiO2+2C→(1600℃~1800℃)Si+CO
在产品中存在杂质有Fe、C、B、P等,其中以铁含量为最多,因此又称工业硅为硅铁。
用此法还原制得的硅铁,纯度约为95~99%可以直接用来氯化制备卤化物,但是为了提高生产纯度需要进一步提纯用酸浸法。
当硅凝固时,多数杂质(Fe、Al、C、B、P、Cu等)离析在晶粒的周围,这些杂质呈硅化物或硅酸盐状态,一般都可以用酸溶(除少数杂质如SiC、Fe2O3不溶外)而硅则不溶于酸中。
酸浸法所用的酸有HCl、HNO3、FH、王水以及不同组合的混合酸,在酸中加入三价铁(氧化剂)将加速杂质的溶液解,升高温度和采用小粒硅粉,对提纯更是有利。(有时会发爆鸣声,这是由于SiH4存在的原因)用此法可将硅的纯度提2~4个“9”。
我厂使用的工业硅(硅铁)是抚顺301厂二级块状硅,其纯度为98.4%,Fe0.6%,Al0.5%,Ca0.5%。将硅铁破碎球磨至60~120目的硅粉是灰色固体,以待合成时使用。
二、氯气
分子量为71,呈黄绿色气体,常温时在将近6 个大气压下变为液体,液体比重1.57g/l,标准状态下,1升氯气重3.21克,氯气具有刺激性,窒息性,在使用氯气时必须采取有效防护措施。
氯气是由电解食盐水溶液而制得的
2NaCl+2H2O→2NaOH+2H++2Cl-
纯度可达95%以上。
氯气在-34.5 ℃也可变成液体,含量为99.5%,氯气是一种化学性质很活泼的元素,它能跟氢气、金属、非金属直接化合,也能跟许多化合物发生反应(除碳、氧外)。
2Na+Cl2→(黄色火焰)2NaCl
2Sb+3Cl2→(放出火花)2SbCl3
Cl2+Cu→(棕黄色)CuCl2
三、三氯氢硅物理化学性质
常温下,纯净的SiHCl3,是无色、透明、挥发性、可燃的液体,有较SiCl4更强的刺鼻气味,其化学特性如下:
易水解、潮解,在空气中强烈发烟。
SiHCl3+1/2O2+H2O→SiO2+3HCl↑
易挥发、气化、沸点较低。
易制备、易还原。
易着火、易爆炸、发火点为28℃,着火温度为220℃,燃 烧时产生氯化氢和氯气:
SiHCl3+O2→SiO2+HCl↑+Cl2↑
对金属极稳定,甚至对金属钠也不起反应。
其蒸汽具有弱毒性,与无水醋酸及二氮乙烯毒性程度相同。
在研究原料特性时,应尽量利用为生产所用,对其有害之特性也应予以充分重视,搞好安全生产。三氯氢硅还原制备超纯硅的方法,在生产中之所以被广泛的应用和迅速发展,就是由于三氯氢硅的特性在生产中大放光彩,如它容易制得,解决了原料问题,容易还原成元素,沉积速度快,解决了产量中的问题;它的沸点低,化学结构的弱极性,使得容易提纯,产品质量高;利用它对金属的稳定特性,在确定精馏塔,贮料槽,还原炉等设备材料时,就可采用不锈钢作为材质,如此等等。而另一方面,由于三氯氢硅有较大爆炸危险,因此在具体操作时应认真细心,思想上也应充分重视,做到安全生产。
在操作过程中,根据三氯氢硅的性质,应保持设备的干燥性和管道的密封性,如果发现微量漏气者而不知是什么地方时,可用浸有氨水
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