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《电力电子技术》2000 年第 4 期 　2000. 8 29 大功率 IGBT 瞬态保护研究 Research on Transient Protection for High Power IGB T ( ) 西安理工大学 　田 　健 　郭会军 　王华民 　李朝阳 　西安 　710048 摘要 :在分析 IGB T 瞬态过程中发生的故障的基础上 ,针对两种主要的故障类型分别提出了相应的保护方案。 对正常工作时发生的故障 ,采用缓冲电路对 IGB T 开通关断时的瞬态电压峰值进行有效抑制 ;短路时则采用钳位保 护电路实现对短路电流的快速检测、限制、钳位及瞬态电压峰值的抑制。实验结果表明 ,这两种方案是切实可行 的。 Abstract :The fault situations during the transient conditions of IGB T are analyzed in this paper. Two Types of pro tective schemes are presented separately. In normal switching operation ,the snubber circuit is used to limit the voltage transients. In the case of short circuit ,the precise clamping circuit is used to detect ,limit and clamp the fault current. Meanwhile ,the peak of voltage transient is also effectively limited. Experiment shows these schemes are available. 叙词 :瞬态过程 　故障 　保护/ 绝缘栅双极晶体管 　缓冲电路 Keywords :transient condition ;fault;protection ; IGBT;snubber circuit 1 　引　言 并联二极管 VD1 的瞬时导通电流 I D1 为流过杂散电 在 IGB T 使用过程中 ,致其损坏的原因主要有 感的电流 ILs及流过缓冲吸收电容 C1 的电流 I C 之 两个 : ①当 IGB T 关断感性负载时 , 由于电感电流不 和 ,即 I D1 = ILs + I C ,也即 ILS 和 d i/ d t 相对于无缓 能突变 ,集射极间电压 Uce 会上升至很高的数值 ; 当 冲电路时要小得多。当 VQ 1 关断时 , 由于L s 的作 IGB T 导通时 ,寄生电容通过 IGB T 放电 ,从而产生 用 ,使 Uce迅速上升 ,并大于母线电压 Ucc ,此时 ,缓 ( 2 ) 较大的电流浪涌 ;反并联二极管两端电压异常升高 , 冲二极管 VD3 正向偏置 ,L s 中的储能 L s I / 2 向缓 ( ) [1 ] 冲电路转移 , 即由缓冲电路吸收了贮能 , 不会引起 达到 1 + K Us ; ②由于负载短路引起流过 IGB T 集电极和发射极的电流异常增大而损坏。文献 [ 2 ] Uce 明显上升。 指出 ,第一种故障会造成 IGB T 开关功率损耗过大 , 引起整个芯片过