PECVDSiN_x薄膜应力的研究.pdfVIP

　第 20 卷第 3 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 20, . 3　 V o l N o 　1999 年 3 月　　　　　　 　　　　　　 . , 1999　 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S M ar PECVD SiNx 薄膜应力的研究 赵永军　王民娟　杨拥军　梁春广 ( 电子部第 13 研究所　石家庄　050002) 摘要　 等离子增强化学气相淀积 ( , ) P lasm a enhanced Chem ical V aper D epo sition PECVD SiN x 薄膜在微电子和微机械领域的应用越来越重要. 它的一个重要的物理参数——机械应 力, 也逐渐被人们所重视. 本文研究了应力跟一些基本的淀积条件如温度、压力、气体流量等之 间的关系. 讨论了应力产生的原因以及随工艺条件变化的机理. 通过工艺条件的合理选择, 做 出了0 8～ 10m 厚的无应力的 PECVD SiN x 薄膜. : 6860, 6855, 8115 , 5290 PACC H 1　引言 SiN x 薄膜具有高介电常数, 高绝缘强度, 漏电低, 对N a 和水汽具有良好的阻挡能力等 优良的物理性能. 作为钝化、隔离、电容介质等, 广泛应用于微电子工艺中. 另外 SiN x 膜还具 有优良的机械性能和良好的稳定性, 所以在新兴的微机械加工工艺中的应用也越来越广泛. 然而, 多数化学气相淀积(CVD ) SiN x 膜都存在一个机械应力较大的问题. 尤其是低压 化学气相淀积(L PCVD ) , SiN x 膜最厚只能淀积 300nm 左右, 超过 300nm 薄膜就会开裂, 甚 至脱落. 等离子增强化学气相淀积(PECVD ) SiN x 薄膜的应力情况虽然比L PCVD 要好一点, 但它受工艺条件的影响非常明显. 工艺条件适当, 可得到无应力的 SiN x 薄膜. 工艺条件掌握 不好, 300nm SiN x 照样会出现开裂、脱落等现象. 对微电子工艺来说, 机械应力可能是造成可靠性问题的一个重要的原因. 包括器件的电 参数的漂移、退化等. 对于微机械工艺来说, 机械应力问题就显得越发明显. 因为许多微机械 传感器的敏感部分就是用 SiN x 薄膜本身做成的. 机械应力会引起膜的翘屈, 严重影响其机 械性能, 影响传感器的灵敏度和线性. 甚至在膜的形成过程中扭曲或开裂, 而导致膜的制作 失败. 目前, 专门研究工艺条件和应力之间关系的参考文献还不多. 因此研究探索工艺条件和 薄膜应力之间的关系, 具有重要的实际意义. 特别是对于 PECVD SiN x , 因为其成膜温度比 较低, 一般低于 400 ℃, 使得 SiN x 的制备更加兼容于微电子和微机械工艺. 工艺条件掌握适 赵永军　男, 1968 年出生, 工程师, 从事等离子淀积刻蚀及 GaA s 微波功率器件和微机械电子器件的工艺研究 王民娟　女, 1970 年出生, 助工, 从事等离子淀积刻蚀及 GaA s 微波功率器件和微机械电子器件的工艺研究 收到,定稿 184