硅膜厚度对SOI栅控混合管性能的影响.pdfVIP

　第 20 卷第 8 期 半　导　体　学　报 . 20, . 8 V o l N o 　1999 年 8 月 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S A ug. , 1999 硅膜厚度对 SO I 栅控混合管性能的影响 黄　如　王阳元 (北京大学微电子所　北京　100871) 摘要　本文分析了 ( ) 栅控混合管( ) 中硅膜厚度对器件短沟道效 SO I Silicon on Insulato r GCH T 应、阈值电压、亚阈斜率、零栅压电流的影响, 讨论了结构参数、工艺参数对硅膜厚度作用的影 响. 研究表明, 与常规 SO IM O S 器件相比, SO I 栅控混合管具有较低的硅膜厚度灵敏度, 改善了 深亚微米常规 SO IM O S 器件由于硅膜厚度的影响而性能下降的问题, 以独特的工作方式为深 亚微米器件的发展提供了新思路. : 2560 , 2520 EEACC Z M 1　引言 近年来, SO I 技术以其独特的优点得到广泛的重视, 尤其全耗尽 SO IM O S 器件具有较 高的电流驱动能力、较陡直的亚阈斜率, 消除了 k ink 效应, 有关研究日益活跃. 然而当全耗 尽器件特征尺寸进入深亚微米领域后, 为减小M O S 器件的短沟道效应, 硅膜采用较高掺杂 而较薄, 使深亚微米器件性能受硅膜厚度的影响增大, 载流子浓度分布、阈值电压及短沟特 性对硅膜厚度的敏感度提高[ 1～ 3 ] , 全耗尽 SO IM O S 器件无法发挥其原有的优点, 这是限制 [ 4 ] 全耗尽 SO IM O SFET 在深亚微米领域广泛应用的一个原因 . 部分耗尽 SO IM O SFET 虽 然对硅膜厚度的变化不敏感, 但其亚阈斜率较大, 电流驱动能力较小, 而且存在 k ink 效应, 失去了全耗尽 SO IM O SFET 的原有优势. 近年来提出的 SO I 栅控混合管(GCH T ) 由于体 引出, 彻底消除了浮体效应, 同时具有高电流驱动能力、低亚阈斜率、低导通电压及低泄漏电 [ 5～ 9 ] [ 10 ] 流等优点 , 在低压低功耗电路及模拟电路中有广阔的应用前景 . 然而有关硅膜厚度对 GCH T 器件性能的影响未见报道, 器件参数的选取缺乏理论依据. 本文首先采用数值模拟 方法, 对比全耗尽 SO IM O SFET 及部分耗尽 SO IM O SFET , 从物理上分析了硅膜厚度对 SO I GCH T 的阈值电压、亚阈斜率、零栅压电流及短沟特性的影响, 讨论了结构参数、工艺 参数对硅膜厚度作用的影响. 本文从实验上进一步研究了硅膜厚度对器件性能的影响, 得到 了与模拟结果相吻合的结论, 完善了 SO I GCH T 的性能研究, 为器件设计提供了理论依据. 　 高等学校博士点科研基金资助 黄　如　女, 1969 年出生, 博士, 主要从事 SO I 新器件及电路等方面的研究 王阳元　男, 1935 年出生, 中国科学院院士, 主要从事VL S I 新工艺、新器件和新结构的研究 收到,定稿 8 期 黄　如等: 　硅膜厚度对 SO I 栅控混合管性能的影响 671 2　结果与讨论 2 1　数值模拟 SO I GCH T 的结构如图 1 所示, 主要特点在于栅与体在器件两侧相连, 源体结正偏.