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不同掺锗浓度对多晶硅性能的影响／苏 杰等 ·5 · 不同掺锗浓度对多晶硅性能的影响 苏 杰 ，黄美玲 ，钟根香 ，黄新明 (1 南京工业大学材料学院，南京 210009；2 东海晶澳太阳能科技有限公司，连云港 222300； 3 西安交通大学能源与动力学院，西安 710049) 摘要 研究不同的掺锗浓度对硼掺杂P型多晶硅铸锭性能的影响。实验结果表明：掺锗能够影响多晶硅铸锭 中的位错密度、间隙氧浓度和硅片的机械强度。当掺锗浓度低于5×10”at·cm-。时，位错密度和间隙氧浓度随着掺 锗浓度的增加而降低，机械强度则随着掺锗浓度的增加而增强。当铸锭 中掺锗浓度为5×10”at·cm-3时，与不掺锗 的硅片相 比，掺锗硅片中位错密度平均降低约 3 ，间隙氧浓度平均降低约6 ，机械强度平均提高约 2O 。但是，当 掺锗浓度高于 1×10。。at·em 时，掺锗对多晶硅铸锭性能的改善效果变差了，并对其性能产生不利的影响。 关键词 多晶硅 锗 位错 氧 机械强度 中图分类号：TN305．3 文献标识码：A DOI：10．11896／j．issn．1005—023X．2014．24．002 InfluenceofDifferentGermanium DopingConcentration on thePerformanceof theMulti—crystallineSilicon SU Jie，HUANGMeiling ，ZHONGGenxiang ，HUANGXinming’ (1 SchoolofMaterialsScienceandEngineering，NanjingTechUniversity，Nanjing210009；2 DonghaiJASolarTechnology Co．，Ltd．，Lianyungang222300；3 SchoolofEnergyandPowerEngineering，Xi’anJiaotongUniversity，Xi’an710O49) Abstract Theinfluenceofdifferentconcentrationsofgermanium (Ge)dopingontheperformanceofboron dopedp-typemuIti_crystaIIinesilicon (mc-Si)wasinvestigated．TheresultsshowedthatdopingGeinsiliconcouldaf— fectdislocationdensity。interstitialoxygenconcentrationandthemechanicalstrengthofsiliconwafers．W hentheGe concentrationwaslowerthan5×10 at·cm～ 。dislocationdensityandinterstitialoxygenconcentrationwerereduced andthemechanicalstrengthwasimprovedwithincreasingGeconcentration．W hentheGeconcentrationwas5×10。 at·em～ ，intheGedopedsiliconwafers，theaveragedislocationdensityandtheinterstitialoxygenconcentrationwas reducedby3 and6 ，andtheaveragemechanicalstrengthwasimprovedby2O incomparisonwithun-doped ones．However。whentheGeconcentrationwasashighas1×10 at·cm_。．theeffectofGedopingon theseper— formancesofthemc-Siwasweakened，SO