Cz结构浅池内旋转对热毛细对流演变过程影响.pdfVIP

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中国工程热物理学会 传热传质学 学术会议论文 编号:083314 Cz 结构浅池内旋转对热毛细对流演变过程的影响 李友荣,吴春梅,石万元,彭岚 (重庆大学动力工程学院,重庆 400044 ) (Tel: 023 E-mail: liyourong@cqu.edu.cn ) 摘要:为了了解 Czochralski 结构浅池内晶体和/或坩埚旋转对热毛细对流转变过程的影响,利用有限差 分法进行了非稳态三维数值模拟。结果表明,当只有坩埚旋转时,流动转化的临界温差随转速的增加 先减小、再增大,若同时旋转,则随转速增加而增大,临界波数随转速的增加而减小;在计算范围内, 当晶体与坩埚同向旋转时,旋转驱动的强制对流对流型的影响占主导地位,当晶体与坩埚反向旋转时, 旋转驱动的强制对流和表面张力梯度驱动的热毛细对流共同决定着流型的演变过程。 关键词:旋转,热毛细对流,数值模拟,Czochralski 结构 0 前言 Czochralski (Cz) 溶液生长法是单晶体的一种主要生长方式,在这种方法中,为了得 到性能均匀的晶体,通常都会使晶体和/或坩埚旋转,从而使得坩埚内熔体的流动变的更 加复杂,为此,许多学者进行了相应的研究[1-6],但是,以往的研究都主要集中在深液池 内。最近,浅液池内的流动越来越引起研究者的注意,此时,液层的Bo数很小,浮力的 影响可以忽略,流动失稳后呈现的是热流体波[7-10] 。本文报道了一组Cz结构浅池内晶体 和/或坩埚旋转对热毛细对流过程转变影响的三维非稳态数值模拟结果。 1物理数学模型 物理模型如图 1 所示,晶体半径为r =15mm,坩埚半径为r =50mm,硅熔体深度为 s c h=3mm,坩埚底部绝热,自由边界为不变形的平表面且绝热,结晶界面温度为Tc=Tm (熔 点温度),坩埚壁维持恒温T (T T )。为简化起见,假定:1) 硅熔体为不可压缩流体, h h c 除表面张力外,所有物性均为常数;2) 流动为层流;3) 在自由表面考虑热毛细力的作 用,而在其它固壁表面满足无滑移条件。 在上述假定条件下,分别以r 2 2 2 /ν ,r , ν/r 和ρν /r 作为控制方程的无量纲参考时间、 c c c c 长度、速度和压力,则无因次控制方程为: ∇ ⋅ V 0 , (1) ∂V 2 + V ⋅ ∇ V =−∇P + ∇ V . (2) ∂t ∂Θ 1 2 + V ⋅∇Θ =∇ Θ . (3) ∂t Pr 资助项目:国家自然科学基金资助项目(No 图1 物理模型 边界条件如下: 自由界面 (Z=H=h/r ,R RR ): c s c ∂V ∂Θ ∂V ∂

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