Schottky势垒高度理论计算中的平均键能方法.pdfVIP

第 52 卷 第 3 期 2003 年 3 月 物 　理 　学 　报 Vol. 52 ,No. 3 ,March ,2003 ( ) 10003290200352 03 054205 ACTA PHYSICA SINICA 2003 Chin. Phys. Soc. Schottky 势垒高度理论计算中的平均键能方法 李书平 　王仁智 ( 厦门大学物理系 ,厦门　361005) ( ) 2002 年 4 月 17 日收到;2002 年 6 月 15 日收到修改稿 　　以平均键能 Em 作为参考能级 ,计算了 10 种不同半导体的 Schottky 接触势垒高度 ,计算值与实验值符合较好. 计算值与实验值的符合程度与 Tersoff 的电中性能级 EB 方法相当 ,优于 Harrison 和 Cardona 等人采用 sp3 平均杂化能 ε h 和介电函数隙中能级 ED 的计算结果. 关键词 : 势垒高度 , 平均键能方法 , 费米能级 PACC : 3120A , 7115A , 7125 ( ) ( ) 电子 空穴 的接触势垒高度 通常指的 Bn Bp ( ) 1 引 言 是接触界面处半导体导带底 价带顶 与金属费米能 级的能距离 E - Em ( Em - E ) , 因为在零偏压下的 c F F v ( ) m 金属半导体 MS 接触在技术上十分重要 ,在 接触势垒中金属费米能级 EF 与半导体费米能级 各种半导体器件和集成电路中都广泛地利用不同性 ( ( ) ( ) ) EF 处于同一能量水平线上 见图 1 a 或 b ,即 EF ( ) 质的 MS 接触 ,主要是肖特基 Schottky 势垒 二极管 m