脉冲偏压电弧离子镀基础问题及应用研究.pdfVIP

TFC’07全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集 脉冲偏压电弧离子镀基础问题及应闵研究 张敏林国强董闯+闻立时 大连理工大学三束材料改性国家重点实验室，大连116024 脉冲偏压电弧离子镀引进了脉冲偏压频率和占空比，增加了沉积离子能量， 但同时工艺过程复杂难控。我们曾经从等离子体鞘层理论和模拟电路出发，建立 电弧等离子体负载的等效电路模型，指出了工艺不稳定性源于等离子体鞘层的容 性负载特性，可等效为电容和电阻相并联的电路单元，从而获得工艺控制的基本 模型。在该模型下，利用Edelberg鞘层物理模型，可计算尘埃颗粒在等离子体鞘 层的受力，脉冲偏压净化颗粒效应得以诠释。我们还利用能量平衡原理建立电 弧离子镀膜过程的温度模型，证实与直流偏压相比，脉冲偏压能降低基片沉积温 度。在解决这些工艺基本原理的基础上，在本报告中，我们介绍如何合理设计脉 冲电参数以提高薄膜沉积质量，以使电弧离子镀能够满足纳米多层超硬薄膜乃至 绝缘涂层的沉积要求。 我们首先根据合金化理论设计并制备f砺，MlN多元梯度复合薄膜，在M金属 的较大含量范围内其硬度远高于同样参数下电弧镀二元薄膜，并具有较好的膜基 结合力和摩擦磨损性能。 进而利用多种工艺手段制备了砸NbN、面厂砺N、面蛐哪C、砸N，面CN等多层 膜，通过一系列正交实验发现，脉冲偏压是影响薄膜性能的最主要因素。以面『砸N 为例，当脉冲电参数为频率30kHz、占空比50％、偏压一900V时，薄膜硬度达 34．丑GPa。 最后，对脉冲偏压工艺用于绝缘类薄膜的可行性给出理论依据，着重指出电 弧等离子体鞘层动力学模型对脉冲偏压产生微弧的抑止效果。在实验上，在玻璃 基片上制备均匀透明的二氧化钛薄膜，通过调控脉冲电参数抑制微弧，实现了长 时间镀膜。我们将讨论脉冲偏压对薄膜生长、力学和光学性能的影响。．300V偏 压时薄膜具有原子级平滑度，因此具有较高的折射率，对波长为55man光的折 射率高达2．5丑，为文献报道最高值；随着偏压的升高，薄膜沉积速率、硬度和弹 性模量先增加后减小。进而影响薄膜性能进行解释。 我们的结果表明，把脉冲偏压引入电弧离子镀工艺不仅保持了其原有的高离 化率、高沉积速率、成膜致密等优点，还带来了新的效应：大颗粒净化、低温沉 积、晶粒细化等。与传统的直流偏压相比，脉冲偏压引入频率和占空比两个控制 变量，对成膜过程有更好的可控性；合理匹配脉冲偏压电参数可消除电荷累积， 抑制微弧击穿，实现绝缘基体镀膜，或镀覆绝缘薄膜，拓宽了离子镀工艺空间。 7