纳米硅颗粒镶嵌氧化硅薄膜光致发光谱钉扎和缺陷分布研究.pdfVIP

西 　北 　师 　范 　大 　学 　学 　报 ( 自然科学版) 　　　　　　 第 44 卷 2 008 年第 5 期 　 03 J ou rnal o f N orthwe st N ormal U niv ersit y (Nat ural Science) 　　　　　　 V ol144 　2 00 8 　N o15 　 纳 米 硅 颗 粒 镶 嵌 氧 化 硅 薄 膜 光 致 发 光 谱 钉 扎 和 缺 陷 分 布 研 究 1 2 3 2 2 魏晋军 , 马书懿 , 孙小菁 , 徐小丽 ( 11 西北师范大学 知行学院 , 甘肃 兰州 　730070 ; 21 西北师范大学 物 理与 电子工程学院 , 甘肃 兰州 　7 30070) 摘 　要 : 采用磁控溅射法制备了纳米硅颗粒镶嵌氧化硅薄膜 , 测试了其光致发光谱 , 发现其发光强度不仅是纳米硅 晶 粒尺寸的函数 , 而且与纳米硅晶粒和二氧化硅间的比例关系有关 . 实验证实 , 钉扎现象是由于存在于纳米硅晶粒与非 晶态外部介质界面间的发光中心所致 , 发光中心在界面处的分布并不均匀 . 关键词 : 纳米硅薄膜 ; 光致发光 ; 缺陷分布 ( ) 中图分类号 : O 4 7213 　　　　文献标识码 : A 　　　　文章编号 : Ⅹ2 00 8 05200 30204 St u dy of p hotol umine scence pin nin g an d defect shape s fr om Si2co ntaini ng silicon o xide fil m s 1 2 2 2 WE I J in2j u n , MA Sh u2yi , SUN Xiao2j i ng , XU Xi ao2li ( 11Zhixing College of Nort hw est Normal U niver sity , L anzhou 730070 , Gan su , China ; 21College of Phy sics an d Electronic Engineering , Nort hw est Nor mal U niver sity , L anzho u 730070 , Gan su , China) Abstr act : Si2cont ai nin g silicon oxi de fil ms i s p r ep ar ed b y magnet ron sp ut ter in g , and it s p hoto lu mi nescence i s t est ed. The r esu lt s show t hat t he i nt ension i s r el ated wit h t he cry st al gr ain dimen sion an d t h e p r oport ion of cry stal gr ai n an d silicon oxid e . It i