纳米金刚石薄膜的二次电子发射特性.pdfVIP

第 2O卷第 1O期 强 激 光 与 粒 子 束 Vo1．2O，No．1O 2008年 1O月 HIGH POW ER LASER AND PARTICLE BEAMS Oct．。2008 文章编号： 1001-4322(2008)10—1744—05 纳米金刚石薄膜的二次 电子发射特性 李 凯， 金 晓， 甘孔银，王汉斌， 胡和平 (中国工程物理研究院 应用 电子学研究所，四川 绵 阳 621900) 摘 要 ： 简要介绍了微波等离子体化学气相沉积 (MPCVD)方法在硅基底上制备纳米金刚石薄膜的过 程，并对制备的薄膜进行了表面分析 。在此基础上设计出了用来测定反射型二次电子发射系数 的实验装置 ，得 出了几种薄膜在不同入射能量下的发射系数，取得了二次发射系数为 l5的满意结果，表明纳米金刚石薄膜作 为二次电子发射材料具有很好 的应用前景。 关键词 ： 高平均功率 自由电子激光 ； 纳米金刚石膜 ； 微波等离子体化学气相沉积方法 ； 二次 电子发 射特性 中图分类号 ： O46； O539 文献标志码 ： A 高平均输出束流、高亮度注入器是高平均功率 自由电子激光口研究中的关键技术之一。目前获得低发射 度 、高亮度的注入器的主要技术途径是直流电子枪+光阴极方法。由于平均输出束流与重复频率、微脉冲电流 成正 比，可从通过提高重复频率和微脉冲电流两种途径来获得高平均输出束流。由于光阴极的量子效率 比较 低 ，这两种途径对驱动激光器的技术要求都非常高 ，因此 目前注入器技术发展的趋势是寻找高量子效率的光阴 极材料和超导注入器 。 超导注入器要求光阴极材料稳定 、不会溅射或扩散到超导腔里，避免超导腔产生场致发射，降低加速梯度。 为了克服上述问题 ，目前超导注入器有两种技术路线 ：铌阴极超导腔方案和BNLBenZvi提出的高量子效率碱 金属光阴极+高二次电子发射系数的金刚石薄膜 阴极方案_2]。从 目前的进展看，采用 BenZvi方案很有希望 研制出高亮度、高平均输出束流的注入器。BenZvi方案中的关键技术问题是制备出高二次电子发射系数的金 刚石薄膜。金刚石薄膜的发射特性研究从 20世纪 90年代以来一直是热点，在 90年代初期，就有人对金刚石 薄膜的二次电子发射特性进行了实验研究，发现金刚石薄膜 的二次电子发射系数 比较大 (最大在 10)。随后又 有人对不同掺杂金刚石薄膜二次电子发射特性进行 了相应的研究 ，其中在掺铯情况下 ，金刚石薄膜的二次电子 发射系数在 5kV时高达 55 ；在 90年代末，有人对表面氢化的金刚石薄膜二次电子系数进行 了研究，结果发 现，氢化金刚石薄膜比掺铯金刚石薄膜具有更高的二次电子发射系数。在 21世纪初 ，美国海军实验室对金刚 石薄膜的透射二次电子发射系数进行了实验研究，发现在十几 kV情况下 ，金刚石薄膜 的二次电子透射系数可 以达 到 10E 。 由于二次电子发射特性和材料成分 、晶粒大小、表面粗糙度等物理性质密切相关 ，金刚石薄膜 中的晶粒大 小对其二次电子发射特性也会产生相应的影响，再加上以前基本研究的是平均 晶粒尺寸在 0．3 m 以上的微 米金刚石膜的二次电子发射特性，因此本文将对平均晶粒尺寸在 200nlTt以下的纳米金 刚石膜l5二次 电子发 射特性进行研究，初步探讨纳米金刚石薄膜在高平均输 出束流 、高亮度注入器上的应用前景。 l 纳米金刚石薄膜的制备与表面分析 微波等离子体化学气相沉积 (MPCVD)方法制备纳米金刚石薄膜的基本过程是 ：首先对硅片基底用 1 m 的金刚石粉末手工研磨处理 ，使得金刚石的形核密度提高，提高金刚石薄膜的生长速度。然后将研磨处理好的 基底放入反应室 ，在磁控管输出的2．45GHz微波作用下，反应室 中的气体形成等离子体，基底表面的氧化物 及杂质在一定时间被等离子体中的氢刻蚀完，然后等离子体中的碳和基底表面的硅反应形成SiC层 ，最后出现 金刚石的形核及长大并最终形成金刚石薄膜。 通过控制反应气体中的化学成分和处理参数 ，可形成不同取向和不同颗粒大小的金刚石薄膜 。在实验中， 通过控制反应气体成分和控制生长速度，使之形成晶粒尺寸小于0．3 m 的金刚石薄膜 ，即纳米金刚石薄膜 。 * 收稿 日期：20